[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、修复方法有效
申请号: | 202110579270.2 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113345920B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 胡凯 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 修复 | ||
1.一种阵列基板的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括:
金属走线,所述金属走线具有至少一断点;
缓冲层,覆盖所述金属走线;
导体走线,设于所述缓冲层上且对应所述金属走线;
从所述基板远离所述金属走线一侧观测所述金属走线,并标记每一断点的位置;
在所述金属走线的长度方向,标记照射点的位置,使得每一断点位于相邻的两个照射点之间;
采用镭射光线从所述基板远离所述金属走线一侧照射所述照射点,直至所述照射点处的金属走线熔化,在所述缓冲层形成通孔,所述金属走线穿过所述通孔连接至所述导体走线;
当相邻两个断点之间的距离大于或等于50个所述金属走线宽度尺寸时,采用镭射光线照射所述两个断点之间的照射点。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,
所述通孔最大孔径小于所述照射点与所述断点的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的