[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、修复方法

说明书

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、修复方法，所述阵列基板包括：基板；遮光金属单元，设于所述基板的一侧表面；金属走线，设于所述基板的所述表面，且围绕所述遮光金属单元；缓冲层，设于所述基板的所述表面，且覆盖所述遮光金属单元和所述金属走线；半导体层，设于所述缓冲层远离所述半导体层的一侧表面，所述半导体层包括有源层和导体走线，所述有源层对应所述遮光金属单元，所述导体走线对应所述金属走线；当所述金属走线存在至少一处断点时，所述金属走线与该断点对应的所述导体走线形成通路。

技术领域

本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、修复方法。

背景技术

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，目前Top Gate(顶栅)结构TFT的走线多为LS(遮光金属)或者M2(第二金属)，制程过程中有particle(颗粒)或光阻破洞时，容易造成金属走线断开，形成断线。

且由于面板分辨率高，导致金属走线间距较小，无法使用传统的弓形长膜修复进行改善。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、修复方法，可以解决现有技术中金属走线断点无法修复的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括：基板；遮光金属单元，设于所述基板的一侧表面；金属走线，设于所述基板的所述表面，且围绕所述遮光金属单元；缓冲层，设于所述基板的所述表面，且覆盖所述遮光金属单元和所述金属走线；半导体层，设于所述缓冲层远离所述半导体层的一侧表面，所述半导体层包括有源层和导体走线，所述有源层对应所述遮光金属单元，所述导体走线对应所述金属走线；当所述金属走线存在断点时，所述金属走线部分贯穿所述缓冲层，并连接至所述断点对应的导体走线。

可选的，在本申请的一些实施例中，当所述金属走线存在至少一处断点时，所述金属走线在其长度方向上存在至少两个照射点，每一断点均处于两个所述照射点之间，所述照射点位置的所述金属走线贯穿所述缓冲层，并连接至对应的导体走线。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述导体走线与所述金属走线的尺寸形状一致。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区，所述显示区设有若干色阻单元，所述金属走线设于所述非显示区中，且围绕所述色阻单元。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述半导体层的材料包括锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌锡氧化物中的至少一种。

相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板；在所述基板上制备一层金属材料，图案化所述金属材料后获得若干遮光金属单元和若干金属走线；在所述基板上沉积一层氮化硅或氧化硅材料，获得覆盖遮光金属单元和所述金属走线的缓冲层；在所述缓冲层上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料，获得若干第一半导体单元和第二半导体单元，所述第一半导体单元对应所述遮光金属单元，所述第二半导体单元对应所述金属走线。

可选的，在本申请的一些实施例中，在制备所述半导体材料步骤之后，还包括以下步骤：

在所述缓冲层上制备一层栅极绝缘材料，所述栅极绝缘材料覆盖所述第一半导体单元；在所述栅极绝缘材料上制备一层栅极金属材料，图案化所述栅极金属材料后获得栅极层，所述栅极层对应所述第一半导体单元；以所述栅极层为基准，刻蚀所述栅极绝缘材料，获得栅极绝缘层；导体化所述第一半导体单元获得有源层，导体化所述第二半导体单元获得导体走线；在所述缓冲层上制备一层介电层，所述介电层覆盖所述有源层、所述导体走线、所述栅极绝缘层以及所述栅极层；在所述介电层对应所述有源层位置刻蚀通孔，在所述介电层上制备一层源漏电极，所述源漏电极填充所述通孔并连接至所述有源层；在所述介电层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏电极。