[发明专利]包含一或多个窗的堆叠式封装半导体装置组合件及相关方法及封装在审

专利信息
申请号: 202110584662.8 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN113299633A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: M·门罗 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/538;H01L23/36;H01L23/485
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 多个窗 堆叠 封装 半导体 装置 组合 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置组合件,其包括:

第一半导体装置封装,其包括第一衬底、所述第一衬底上的第一半导体装置、支撑在所述第一半导体装置的上表面上的热管理结构,以及定位在所述第一衬底的上表面上的导电元件的第一阵列;

第二衬底,其上覆所述第一衬底,所述第二衬底包括定位在所述第二衬底的下表面上的导电元件的第二阵列,所述第二阵列的至少一些所述导电元件电连接到所述第一阵列的对应导电元件,在至少大体上垂直于所述第二衬底的所述下表面的方向上测量的所述导电元件的厚度小于在所述方向上测量的所述第一半导体装置的厚度;

其中所述第二衬底包括从所述第二衬底的所述下表面延伸到上表面的窗,其中所述热管理结构的至少一部分定位在所述窗内,其中所述导电元件的所述第二阵列完全围绕所述窗,所述第一衬底的外周边的至少一部分耦合到界定所述窗的所述周边的所述第二衬底的内部分;

额外半导体装置,其围绕所述第二衬底的周边位于所述第二衬底的所述上表面之上,所述第二衬底包括从所述窗的每一侧朝向围绕所述第二衬底的所述周边的所述额外半导体装置而延伸的布线元件;及

至少一个电组件,其支撑在侧向超过所述第一衬底的周边的所述第二衬底的所述下表面上,所述至少一个电组件的厚度小于所述第一衬底的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一半导体装置至少部分延伸穿过所述窗,使得与所述第二衬底的所述下表面共面的平面与所述第一半导体装置相交。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述布线元件包括导电材料的线、迹线或通道。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述至少一个电组件的所述厚度在所述第一衬底的所述高度的40%到60%之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第二衬底的所述下表面的表面积大于所述第一衬底的所述上表面的表面积。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述至少一个电组件包括电阻器、电容器、电感器、集成电路、二极管、晶体管、电池、天线或开关中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述导电元件的第二阵列定位成侧向邻近所述窗,使得所述第二阵列与所述第二衬底的所述上表面上的任何额外半导体装置以及所述第二衬底的周边横向间隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件,其中所述额外半导体装置经配置以接近所述第二衬底的所述周边而定位。

9.根据权利要求8所述的半导体装置组合件,其中所述额外半导体装置经配置以邻近接近所述第二衬底的所述周边的隅角而定位。

10.根据权利要求1至9中任一项权利要求所述的半导体装置组合件,其中所述导电元件的所述厚度小于所述第一衬底的所述厚度的75%。

11.根据权利要求1至9中任一项权利要求所述的半导体装置组合件,其中所述第二衬底的周边展现与所述第一衬底的周边相同的形状。

12.根据权利要求1至9中任一项权利要求所述的半导体装置组合件,其进一步包括在所述第二衬底的几何中心的远端从所述第一衬底下方延伸到所述第二衬底的结构支撑件。

13.根据权利要求1至9中任一项权利要求所述的半导体装置组合件,其中所述第一阵列及所述第二阵列的所述导电元件分别包括从所述第二衬底直接延伸到至少大体上与所述第一衬底的所述上表面共面的导电材料的对应垫的导电材料的球。

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