[发明专利]一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺

权利要求书

1.一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤：

S1：扩散前处理；

S2：氧化；

S3：光刻；

S4：P+硼扩散；

S5：N+淀积；

S6：对氧化片加工；

S7：对硅片进行加工。

2.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。

3.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S2中把扩散前处理的硅片在1150℃的氧化炉中氧化形成一层氧化层。

4.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S3中把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层工序，在正面刻出一次扩散图形：

涂胶，采用旋转涂抹的方式在氧化后的硅片表面进行均匀涂抹；

曝光，利用透明玻璃或不透明材料制作掩膜版投影到透镜上，透镜缩小掩膜版投影到光刻胶上的图形，利用紫外线对光刻胶进行照射形成聚合物；

显影，利用显影液将未被曝光区域光刻胶去除。

5.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S4中在硅片表面，用硼涂布源工艺进行涂布，在高温时，沉积100分钟左右，可得到合适的低浓度沉积层，借助后道推进流程，将P+深度推到本产品所需的合适深度，形成宽P+层区。

6.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S5中在硅片的正面均匀涂布光刻胶，利用光刻胶对硅片正面进行保护，对硅片的背面用100％HF腐蚀干净，通过磷气态源使其形成高浓度的N+层。

7.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S6中对氧化片进行再次光刻，并选择性地腐蚀掉氧化层，露出P+区域。

8.根据权利要求1所述的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，其特征在于，所述S7中在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极。