[发明专利]一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺

说明书

本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，针对现有的芯片制作漏电流大，高温反偏及抗浪涌能力弱问题，现提出如下方案，其包括以下工艺步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：光刻；S4：P+硼扩散；S5：N+淀积；S6：对氧化片加工；S7：对硅片进行加工，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电；选用专用合适的N型衬底新材料，使用平面氧化层工艺降低漏电流；根据产品需求选用特定电阻率N型抛光片，背面采用合适的吸杂降低漏电。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺。

背景技术

手机芯片通常是指应用于手机通讯功能的芯片，包括基带、处理器、协处理器、RF、触摸屏控制器芯片等，手机芯片使用十分广泛，。

现有的芯片制作漏电流大，高温反偏及抗浪涌能力弱。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的芯片制作漏电流大，高温反偏及抗浪涌能力弱的缺点，而提出的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，包括以下工艺步骤：

S1：扩散前处理；

S2：氧化；

S3：光刻；

S4：P+硼扩散；

S5：N+淀积；

S6：对氧化片加工；

S7：对硅片进行加工。

优选的，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。

优选的，所述S2中把扩散前处理的硅片在1150℃的氧化炉中氧化形成一层氧化层。

优选的，所述S3中把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层工序，在正面刻出一次扩散图形：

涂胶，采用旋转涂抹的方式在氧化后的硅片表面进行均匀涂抹；

曝光，利用透明玻璃或不透明材料制作掩膜版投影到透镜上，透镜缩小掩膜版投影到光刻胶上的图形，利用紫外线对光刻胶进行照射形成聚合物；

显影，利用显影液将未被曝光区域去除。

优选的，所述S4中在硅片表面，用硼涂布源工艺进行涂布，在高温时，沉积100分钟左右，可得到合适的低浓度沉积层，借助后道推进流程，将P+深度推到本产品所需的合适深度，形成宽P+层区。

优选的，所述S5中在硅片的正面均匀涂布光刻胶，利用光刻胶对硅片正面进行保护，对硅片的背面用100％HF腐蚀干净，通过磷气态源使其形成高浓度的N+层。

优选的，所述S6中对氧化片进行再次光刻，并选择性地腐蚀掉氧化层，露出P+区域。

优选的，所述S7中在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

本发明使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电；选用专用合适的N型衬底新材料，使用平面氧化层工艺降低漏电流；根据产品需求选用特定电阻率N型抛光片，背面采用合适的吸杂降低漏电。

附图说明

图1为本发明提出的一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺的一种流程图；