[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在导电部件上方沉积第一钝化层，其中，所述第一钝化层具有第一介电常数；

在所述第一钝化层上方形成电容器；

在所述电容器上方沉积第二钝化层，其中，所述第二钝化层具有大于所述第一介电常数的第二介电常数；

在所述电容器上方形成电连接到所述电容器的再分布线；

在所述再分布线上方沉积第三钝化层；以及

形成穿透所述第三钝化层以电连接至所述再分布线的凸块下金属(UBM)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二钝化层包括将相同的材料沉积为所述第一钝化层，其中，与所述第二钝化层相比，更多的致孔剂掺入所述第一钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电容器包括形成金属-绝缘体-金属电容器。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第一钝化层之前，沉积第一蚀刻停止层；

在形成所述电容器之后并且在沉积所述第二钝化层之前，沉积第二蚀刻停止层；以及

实施蚀刻工艺以蚀刻穿过所述第二钝化层，以形成停止在所述第二蚀刻停止层的第一顶面上的第一开口，以及蚀刻穿过所述第二钝化层和所述第一钝化层以形成停止在所述第一蚀刻停止层的顶面上的第二开口。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一开口和所述第二开口在相同的蚀刻工艺中形成。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在共同的工艺中，蚀刻穿过所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，使用相同的介电材料沉积所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一钝化层是低k介电层，并且所述第二钝化层是非低k介电层。

9.一种半导体器件，包括：

导电焊盘；

第一钝化层，位于所述导电焊盘上方，其中，所述第一钝化层包括第一介电材料，并且所述第一钝化层具有第一介电常数；

第二钝化层，位于所述第一钝化层上方，其中，所述第二钝化层具有高于所述第一介电常数的第二介电常数；

电容器，夹置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；

第三钝化层，位于所述第二钝化层上方；

第一再分布线，穿透所述第二钝化层以接触所述电容器的电容器电极的顶面；以及

第二再分布线，穿透所述第二钝化层和所述第一钝化层两者以接触所述导电焊盘。

10.一种半导体器件，包括：

导电部件；

第一蚀刻停止层，位于所述导电部件上方并且接触所述导电部件；

第一钝化层，位于所述第一蚀刻停止层上方，其中，所述第一钝化层具有第一孔隙率值；

电容器，位于所述第一钝化层上方；

第二蚀刻停止层，位于所述电容器上方；

第二钝化层，位于所述第二蚀刻停止层上方，其中，所述第二钝化层具有低于所述第一孔隙率值的第二孔隙率值；

第一再分布线，穿透所述第二钝化层和所述第二蚀刻停止层以电连接到所述电容器；以及

第二再分布线，穿透所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述第一蚀刻停止层以电连接到所述导电部件。