[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 202110585243.6 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113363206A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 黄嘉铭;郑明达;李松柏;陈荣佑;管清华;李梓光 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/532;H01L21/82;H01L27/06;H01L27/13
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 形成 方法
【说明书】:

方法包括在导电部件上方沉积第一钝化层,其中第一钝化层具有第一介电常数;在第一钝化层上方形成电容器;在电容器上方沉积第二钝化层,其中第二钝化层具有大于第一介电常数的第二介电常数。该方法还包括在电容器上方形成电连接到电容器的再分布线;在再分布线上方沉积第三钝化层;以及形成穿透第三钝化层以电连接至再分布线的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

在集成电路的形成中,诸如晶体管的集成电路器件形成在晶圆中的半导体衬底的表面处。然后,在集成电路器件上方形成互连结构。金属焊盘形成在互连结构上方并且电耦合至互连结构。钝化层和第一聚合物层形成在金属焊盘上方,金属焊盘通过钝化层和第一聚合物层中的开口暴露。

然后,可以形成再分布线以连接至金属焊盘的顶面,随后在再分布线上方形成第二聚合物层。凸块下金属(UBM)形成为延伸至第二聚合物层中的开口中,其中,UBM电连接至再分布线。可以将焊球放置在UBM上方并且回流。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法,包括:在导电部件上方沉积第一钝化层,其中,所述第一钝化层具有第一介电常数;在所述第一钝化层上方形成电容器;在所述电容器上方沉积第二钝化层,其中,所述第二钝化层具有大于所述第一介电常数的第二介电常数;在所述电容器上方形成电连接到所述电容器的再分布线;在所述再分布线上方沉积第三钝化层;以及形成穿透所述第三钝化层以电连接至所述再分布线的凸块下金属(UBM)。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件,包括:导电焊盘;第一钝化层,位于所述导电焊盘上方,其中,所述第一钝化层包括第一介电材料,并且所述第一钝化层具有第一介电常数;第二钝化层,位于所述第一钝化层上方,其中,所述第二钝化层具有高于所述第一介电常数的第二介电常数;电容器,夹置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间;第三钝化层,位于所述第二钝化层上方;第一再分布线,穿透所述第二钝化层以接触所述电容器的电容器电极的顶面;以及第二再分布线,穿透所述第二钝化层和所述第一钝化层两者以接触所述导电焊盘。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件,包括:导电部件;第一蚀刻停止层,位于所述导电部件上方并且接触所述导电部件;第一钝化层,位于所述第一蚀刻停止层上方,其中,所述第一钝化层具有第一孔隙率值;电容器,位于所述第一钝化层上方;第二蚀刻停止层,位于所述电容器上方;第二钝化层,位于所述第二蚀刻停止层上方,其中,所述第二钝化层具有低于所述第一孔隙率值的第二孔隙率值;第一再分布线,穿透所述第二钝化层和所述第二蚀刻停止层以电连接到所述电容器;以及第二再分布线,穿透所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述第一蚀刻停止层以电连接到所述导电部件。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至15示出了根据一些实施例的封装的形成中间阶段的截面视图。

图16示出了根据一些实施例的用于形成器件的工艺流程。

具体实施方式

以下公开提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅是实例而不旨在限制。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可以在各个示例中重复参考数字和/字母。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

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