[发明专利]半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

第1电荷保持部，在沿所述衬底的表面的第1截面中至少一部分弯曲；及

通道层，在所述第1截面中位于所述第1电荷保持部的内侧，且至少一部分弯曲；且

所述第1电荷保持部在所述第1截面中曲率根据位置而不同，

所述通道层在所述第1截面中膜厚根据所述第1电荷保持部的曲率而不同。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1电荷保持部在所述第1截面中，包含第1部分、及曲率比所述第1部分大的第2部分，

所述通道层在所述第1截面中，包含与所述第1电荷保持部的所述第1部分并列的第1部分、及与所述第1电荷保持部的所述第2部分并列的第2部分，

所述通道层的所述第2部分的膜厚厚于所述通道层的所述第1部分。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述通道层的所述第2部分的最大膜厚比所述通道层的所述第1部分的最小膜厚厚1nm以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述通道层在所述第1截面中膜厚以比所述第1电荷保持部的膜厚的变化率大的变化率变化。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其具有设置在所述通道层内侧的绝缘部，

所述第1电荷保持部在所述第1截面中，包含第1部分、及曲率比所述第1部分大的第2部分，

所述绝缘部在所述第1截面中，包含隔着所述通道层而与所述第1电荷保持部的所述第1部分并列的第1部分、及隔着所述通道层而与所述第1电荷保持部的所述第2部分并列的第2部分，

所述绝缘部的所述第1部分与所述第2部分的曲率差，小于所述第1电荷保持部的所述第1部分与所述第2部分的曲率差。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述通道层在所述第1截面中为环状，且具有外周缘与内周缘，

所述内周缘的真圆度高于所述外周缘。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述通道层在所述第1截面中为椭圆环状，具有：第1厚膜部，在所述椭圆的长轴上位于所述通道层的一端；第2厚膜部，在所述长轴上位于所述通道层的另一端；第1薄膜部，在所述椭圆的与所述长轴正交的短轴上位于所述通道层的一端；及第2薄膜部，在所述短轴上位于所述通道层的另一端；

所述第1厚膜部的膜厚分别厚于所述第1薄膜部及所述第2薄膜部，

所述第2厚膜部的膜厚分别厚于所述第1薄膜部及所述第2薄膜部。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其进而具备第2电荷保持部，该第2电荷保持部设置在比所述第1电荷保持部更远离所述衬底的位置，且至少一部分弯曲，

所述第1电荷保持部在所述第1截面中，包含第1部分、及曲率比所述第1部分大的第2部分，

所述第2电荷保持部在比所述第1截面更远离所述衬底且沿所述衬底的所述表面的第2截面中，包含第1部分、及曲率比所述第1部分大的第2部分，

所述通道层在所述第1截面中，包含与所述第1电荷保持部的所述第1部分并列的第1部分、及与所述第1电荷保持部的所述第2部分并列的第2部分，且在所述第2截面中，包含与所述第2电荷保持部的所述第1部分并列的第3部分、及与所述第2电荷保持部的所述第2部分并列的第4部分，

所述通道层的所述第1部分与所述第2部分的膜厚差，大于所述第3部分与所述第4部分的膜厚差。

9.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

电荷保持部，在沿所述衬底的表面的截面中，包含第1部分、及曲率比所述第1部分大的第2部分；及

通道层，在所述截面中，包含与所述电荷保持部的所述第1部分并列的第1部分、及与所述电荷保持部的所述第2部分并列的第2部分；且

所述通道层的所述第2部分的膜厚厚于所述通道层的所述第1部分。