[发明专利]半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法

说明书

实施方式提供可改善电特性的半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具有衬底、电荷保持部、及通道层。所述电荷保持部在沿所述衬底的表面的截面中至少一部分弯曲。所述通道层在所述截面中位于所述电荷保持部的内侧，且至少一部分弯曲。所述电荷保持部在所述截面中曲率根据位置而不同。所述通道层在所述截面中膜厚根据所述电荷保持部的曲率而不同。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-144747号(申请日：2020年8月28日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法。

背景技术

已知有如下半导体存储装置，其包含：层叠体，绝缘层与字线交替层叠而成；及多个存储器柱，在层叠体的厚度方向上贯通层叠体。人们期待该半导体存储装置的电特性能得到进一步改善。

发明内容

本发明的实施方式提供一种可改善电特性的半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法。

实施方式的半导体存储装置具有衬底、电荷保持部、及通道层。所述电荷保持部在沿所述衬底的表面的截面中至少一部分弯曲。所述通道层在所述截面中位于所述电荷保持部的内侧，且至少一部分弯曲。所述电荷保持部在所述截面中曲率根据位置而不同。所述通道层在所述截面中膜厚根据所述电荷保持部的曲率而不同。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体存储装置的截面图。

图2是图1中所示的半导体存储装置的沿F2-F2线的截面图。

图3是图1中所示的半导体存储装置的沿F3-F3线的截面图。

图4是表示实施方式的存储器单元的一例的截面图。

图5是图1中所示的半导体存储装置的沿F5-F5线的截面图。

图6(a)～(d)是表示实施方式的半导体存储装置的制造方法的截面图。

图7(a)～(c)是表示实施方式的半导体存储装置的制造方法的截面图。

图8(a)、(b)是用以说明实施方式的半导体存储装置的作用的截面图。

图9是表示实施方式的变化例的半导体存储装置的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式的半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法进行说明。以下说明中，对具有同一或类似功能的构成附上同一符号。而且，有时省去这些构成的重复说明。本说明书中，“平行”包含“大致平行”的情况。本说明书中，“正交”包含“大致正交”的情况。本说明书中，“连接”不仅包含2个部件间不介置任意物件而相邻的情况，也包含2个部件之间介置有其它部件的情况。本说明书中，“环状”并不限定于圆环状，也包含矩形状或三角形状的环状。本说明书中，“XX设置在YY上”并不限定于XX与YY相接的情况，还包含XX与YY之间介置其它部件的情况。

首先，对X方向、Y方向、及Z方向进行定义。X方向及Y方向是沿下述硅衬底10的表面10a(参照图1)的方向。X方向是下述字线WL(参照图1)延伸的方向。Y方向是与X方向交叉(例如正交)的方向。Y方向是下述位线BL(参照图1)延伸的方向。Z方向是与X方向及Y方向交叉(例如正交)的方向。Z方向是硅衬底10(参照图1)的厚度方向。本说明书中，有时将Z方向上的从硅衬底10朝向下述层叠体20的方向称为“上”，将其相反方向称为“下”。但这些表述是为了方便而采用的，并不规定重力方向。