[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110586390.5 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451410A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 荷尔本·朵尔伯斯;马克斯·乔汉斯·亨利卡斯·凡·戴尔;乔滋尔斯·凡里恩提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一铁电结构，包括一通道区与一源极/漏极区；
一栅极介电层，设置于该铁电结构的该通道区上方；
一栅极电极，设置于该栅极介电层上；以及
一源极/漏极接触件，设置于该铁电结构的该源极/漏极区上，
其中该铁电结构包括氮化镓、氮化铟或氮化铟镓，
其中该铁电结构掺杂有一掺质。
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