[发明专利]一种电路板的背钻加工方法及电路板

权利要求书

1.一种电路板的背钻加工方法，其特征在于，包括：

获取到待背钻板，所述待背钻板包括待背钻金属化孔，以及导电线路层和介质层；

基于待得到的背钻孔和所述介质层，确定残铜率计算的区域；

基于所述残铜率计算的区域，确定所述背钻孔的背钻深度；

基于所述背钻深度对所述待背钻金属化孔进行背钻，得到所述背钻孔。

2.根据权利要求1所述的背钻加工方法，其特征在于，所述基于待得到的背钻孔和所述介质层，确定残铜率计算的区域的步骤，包括：

基于所述待得到的背钻孔的直径以及所述介质层的材料流动补偿值，确定残铜率计算的区域。

3.根据权利要求1所述的背钻加工方法，其特征在于，所述基于所述残铜率计算的区域，确定所述背钻孔的背钻深度的步骤，包括：

在所述残铜率计算的区域内，基于所述介质层的流动填充，确定各层所述介质层的厚度；

基于所述介质层的厚度，确定所述背钻孔的背钻深度。

4.根据权利要求3所述的背钻加工方法，其特征在于，所述在所述残铜率计算的区域内，基于所述介质层的流动情况以及填充情况，确定各层所述介质层的厚度的步骤，包括：

在所述残铜率计算的区域内，基于所述介质层的流动性能和填充情况，以及所述介质层的涨缩情况，确定各层所述介质层的厚度。

5.根据权利要求1所述的背钻加工方法，其特征在于，所述待背钻板包括多个所述待背钻金属化孔；

所述基于待得到的背钻孔和所述介质层，确定残铜率计算的区域的步骤包括：

根据每一个所述待背钻金属化孔和所述介质层，确定每一个所述待背钻金属化孔对应的残铜率计算的区域；

所述基于所述残铜率计算的区域，确定所述待背钻金属化孔的背钻深度的步骤包括：

基于每一个所述待背钻金属化孔对应的残铜率计算的区域，确定每一个所述待背钻金属化孔的背钻深度。

6.根据权利要求1所述的背钻加工方法，其特征在于，所述待背钻板包括目标信号层；其中，所述目标信号层为对应当前背钻任务的信号层；

所述基于所述残铜率计算的区域，确定所述背钻孔的背钻深度的步骤，包括：

基于所述残铜率计算的区域，确定第一间距，其中，所述第一间距由所述待背钻板的待背钻一侧表面至所述目标信号层的间距；

基于所述第一间距、钻尖补偿值、镀铜铜厚补偿值以及金属化孔残桩长度的目标控制值，确定所述背钻孔的背钻深度。

7.根据权利要求1所述的背钻加工方法，其特征在于，所述待背钻板包括导电参考层和目标信号层；其中，所述目标信号层为对应当前背钻任务的信号层；

所述基于所述残铜率计算的区域，确定所述背钻孔的背钻深度的步骤，包括：

基于所述残铜率计算的区域，确定第二间距，其中，所述第二间距为所述导电参考层与所述目标信号层之间的间距；

基于所述第二间距，确定所述背钻孔的背钻深度。

8.根据权利要求7所述的背钻加工方法，其特征在于，所述基于所述第二间距，确定所述背钻孔的背钻深度的步骤，包括：

基于所述第二间距、钻尖补偿值、镀铜铜厚补偿值以及金属化孔残桩长度的目标控制值，确定所述背钻孔的背钻深度。

9.根据权利要求8所述的背钻加工方法，其特征在于，所述基于所述背钻深度对所述待背钻金属化孔进行背钻，得到所述背钻孔的步骤包括：

控制背钻钻头从所述待背钻板用于背钻一侧表面开始向所述目标信号层移动进行第一次背钻，钻至所述导电参考层，并获取第一背钻深度；

退回背钻钻头，基于所述第一背钻深度、所述第二间距、钻尖补偿值、镀铜铜厚补偿值以及金属化孔残桩长度的目标控制值，确定所述背钻孔的第二背钻深度；

控制所述背钻钻头以第二背钻深度从用于背钻一侧表面开始向所述目标信号层移动完成第二次背钻。

10.一种电路板，其特征在于，通过权利要求1-9中任一项所述的背钻加工方法制造而成。