[发明专利]声表面波装置

权利要求书

1.一种声表面波装置，包括：

压电基板；

IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中

每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层由金属钛或铬中的至少一种组成，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ-30％λ之间，所述第一金属层中Al的含量在97wt％以上，所述第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

2.如权利要求1所述的声表面波装置，其中所述IDT电极的侧面为倾斜面，所述倾斜面与所述压电基板所成的角度为95-135°之间。

3.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一种或一种以上的材料。

4.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述金属钛或铬的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg、Ni中的一种或一种以上的材料。

5.如权利要求1所述的声表面波装置，其中，所述多个IDT电极单元包括第一IDT电极单元和设置在第一IDT电极单元远离所述压电基板表面上的第二IDT电极单元。

6.如权利要求5所述的声表面波装置，所述第一IDT电极单元的第一缓冲层与所述第二IDT单元的第一缓冲层的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT电极单元的第一金属层与所述第二IDT单元的第一金属层的成分和厚度相同。

7.如权利要求5所述的声表面波装置，其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量小于所述第一IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量。

8.如权利要求5所述的声表面波装置，其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层的厚度大于所述第一IDT电极单元的第一金属层的厚度，并为所述第一IDT电极单元的第一金属层厚度的10倍以上以下。

9.如权利要求6-8中任一所述的声表面波装置，其中，所述压电基板包括：

高声速支撑基板，所述高声速支撑基板为硅基板；

压电膜，设置在所述高声速支撑基板的表面上；

所述IDT电极设置在所述压电膜远离所述高声速支撑基板的表面上。

10.如权利要求9所述的声表面波装置，还包括介质层，所述介质层设置在所述高声速支撑基板与所述压电膜之间，或者设置在在所述IDT电极远离所述压电基板的表面上，所述介质层的热膨胀系数低于6×10^-6/K。

11.如权利要求6-8中任一所述的声表面波装置，还包括：

所述压电基板中设置有凹槽结构，所述凹槽结构容置所述IDT电极，所述凹槽结构的深度大于或等于所述第一IDT单元中的第一缓冲层的厚度。