[发明专利]声表面波装置

说明书

本发明提出了一种声表面波装置，包括：压电基板；IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％λ‑30％λ之间。根据本发明的声表面装置，能够提高铝的抗电迁移能力，在提高声表面波装置的最大耐受功率的同时，还可以提高声表面波装置的耐久性，并且能够兼顾声表面波装置的频率特性，避免声表面波装置的频率随温度变化漂移比较大，增强温度稳定性。

技术领域

本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种声表面波装置。

背景技术

SAW滤波器的关键指标中，主要的有两类，一类是小信号参数，另一类是功率指标。其中小信号参数即S参数表征器件在实际使用中的性能优劣，而功率指标则主要是器件的最大耐受功率(烧毁临界功率)。

目前SAW滤波器支持的最大耐受功率仅能满足4G下的手机客户端、物联网客户端的功率需求。在5G要求下，如B41等频段对于功率需求相对于4G有所增长。这导致了市面上的SAW滤波器无法满足5G高功率需求。

此外，随着器件频率的提高，IDT(Interdigital transducer)电极的线条将变得更加细小，来自于声表面波的重复应力随着频率提高而急剧增加，导致滤波器失效，因此在SAW滤波器的最大耐受功率提高时，耐久性会降低。

现有技术中亟需一种技术能够提高SAW滤波器的最大耐受功率，也不会降低耐久性。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种声表面波装置，包括：压电基板；IDT电极，所述IDT电极包括多个IDT电极单元，所述多个IDT电极单元层叠设置在所述压电基板上，其中，每个IDT电极单元包括：第一缓冲层，设置在所述压电基板上，所述第一缓冲层包括金属钛或铬中的至少一种，在将所述IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述第一缓冲层的厚度为0.5％λ以下；第一金属层，设置在所述第一缓冲远层离所述压电基板的表面上，所述第一金属层包括铝,所述第一金属层的厚度范围在1％-30％λ之间。

其中，所述第一金属层中Al的含量在97wt％以上，所述第一金属层还包括含有Al、Si和Cu的金属间化合物。

其中，所述IDT电极的侧面为倾斜面，所述倾斜面与所述压电基板所成的角度为95-135°之间。

其中，所述第一金属层还包括选自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一种或一种以上的材料。

其中，所述金属钛或铬的含量在98％以上，所述第一缓冲层还包括选自Al、Si、Mg、Ni中的一种或一种以上的材料。

其中，所述多个IDT电极单元包括第一IDT电极单元和设置在第一IDT电极单元远离所述压电基板表面上的第二IDT电极单元。

其中，所述第一IDT电极单元的第一缓冲层与所述第二IDT单元的第一缓冲层的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT电极单元的第一金属层与所述第二IDT单元的第一金属层的成分和厚度相同。

其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量小于所述第一IDT电极单元的第一金属层包括的铝的含量。

其中，所述第二IDT电极单元的第一金属层的厚度大于所述第一IDT电极单元的第一金属层的厚度，并为所述第一IDT电极单元的第一金属层厚度的10倍以上以下。