[发明专利]一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置

权利要求书

1.一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，包括：两个平行放置的第一pinch阀(1)、第二pinch阀(2)，两段穿过pinch阀芯放置的第一硅橡胶管(3)、第二硅橡胶管(4)，以及连接两段硅橡胶管的阀间毛细管(6)、连接在第一pinch阀另外一端的进样毛细管(5)、连接在第二pinch阀另外一端的真空毛细管(7)，所述各个pinch阀、硅橡胶管、毛细管均同轴放置；

通过控制连续开闭第二Pinch阀(2)使得第二硅橡胶管(4)内壁反复接触累积静电荷，开闭第一Pinch阀(1)的吸入空气，对进入第二硅橡胶管(2)内的样品进行电离产生离子。

2.根据权利要求1所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，所述进样毛细管(5)、阀间毛细管(6)、真空毛细管均为金属毛细管(7)。

3.根据权利要求1所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，所述进样毛细管(5)长4.00cm，内径250μm，外径1/16英寸，用于从常压区域进行采样；所述阀间毛细管(6)长4.00cm，内径250μm，外径1/16英寸；真空毛细管(7)长4.00cm，内径125μm，外径1/16英寸。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，还包括与两个pinch阀电性连接的波形发生器(8)，以及与波形发生器连接的上位机(9)；所述波形发生器(8)用于根据上位机(9)输出的指令输出控制两个pinch阀开或闭的波形信号。

5.根据权利要求4所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，所述上位机(9)为计算机或智能终端设备。

6.根据权利要求4所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，所述上位机(9)内存储有以下程序模块，并当上位机加载以下程序模块时控制两个pinch阀开闭实现利用DAPI进行摩擦电离产生离子源；

静电荷积累程序模块，用于按照预设的通断时间，控制第二pinch阀(2)不断地进行开闭过程，使阀芯放置的第二硅橡胶管(4)内壁不断进行接触分离，在管内壁产生静电；

样品吸入程序模块，用于按照预设的采样时间，控制第一Pinch阀(1)开启，气压上升，中性气体样品依次经过各个金属毛细管和硅胶管；使得在第二Pinch阀芯的硅胶管内被电离成离子，进入离子阱质谱仪的真空腔体中；还用于控制第一pinch阀的关闭，气压随之下降，控制下降到适宜离子阱工作的气压。

7.根据权利要求6所述的一种利用DAPI进行摩擦电离的离子源装置，其特征在于，所述样品吸入采样时间为12ms。