[发明专利]存储装置及其读取操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器单元阵列和一次性可编程存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含沿第一方向顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，一次性可编程存储器单元阵列被配置为存储参考计数值，第一存储器单元连接到第一字线，并且第二存储器单元连接到第二字线；

控制器，包括：处理器，被配置为生成针对第一存储器单元的读取命令；和

读取电平生成器，包括：计数器，被配置为接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；和比较器，被配置为接收存储在一次性可编程存储器单元阵列中的参考计数值之中的第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并且基于阈值电压移位来确定第一存储器单元的读取电平。

2.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：电压生成器，被配置为将基于读取电平生成的读取电压发送到非易失性存储器单元阵列。

3.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：缓冲存储器，读取电平生成器被设置在缓冲存储器内部。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，读取电平生成器被配置为：当截止单元计数值大于第一参考计数值时，增大读取电平。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，增大的读取电平与响应于读取命令而将要读取的第一存储器单元的第一状态的最小阈值电压之间的差大于或等于上偏移电压。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，读取电平生成器被配置为：当截止单元计数值小于第一参考计数值时，减小读取电平。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，减小的读取电平与第一存储器单元的第二状态的最大阈值电压之间的差大于或等于下偏移电压，第二状态具有比响应于读取命令而将要读取的第一存储器单元的第一状态的阈值电压分布低的阈值电压分布。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，一次性可编程存储器单元阵列存储第一参考计数值和第二参考计数值，第一参考计数值与连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值被比较，第二参考计数值与连接到第一字线的存储器单元的截止单元计数值被比较。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，第一参考计数值和第二参考计数值彼此不同。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的存储装置，其中，通过计数器计算的截止单元计数值是连接到第二字线的存储器单元的具有最高阈值电压分布的状态的截止单元计数值。

11.根据权利要求1至9中的任意一项所述的存储装置，其中，所述串包括设置在第一存储器单元与第二存储器单元之间的第三存储器单元。

12.根据权利要求1至9中的任意一项所述的存储装置，其中，读取电平生成器被设置在控制器内部。