[发明专利]存储装置及其读取操作方法

说明书

提供一种存储装置及其读取操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一字线和第二字线；控制器，包括生成第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；比较器，从OTP存储器单元阵列接收第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。

对于2020年7月17日提交的第10-2020-0088807号韩国专利申请以及由此产生的所有权益提出了优先权要求，所述韩国专利申请的全部通过引用包括于此。

技术领域

本公开涉及存储装置以及存储装置的读取操作方法。

背景技术

存储装置(诸如，SSD(固态驱动器))包括即使在电力被切断时也可保持所存储的数据的一个或多个非易失性存储器装置，因此，对于长期数据存储是有利的。包括一个或多个非易失性存储器装置的这样的存储装置在各种电子装置(诸如，以计算机、智能电话和智能板等为例)中通常用作主存储装置。

存储装置的非易失性存储器装置可由于各种原因而随时间劣化，并且这样的劣化可通过根据劣化的程度改变操作条件来应对。例如，可根据存储装置中的操作条件调整读取电压的电平(或读取电平)。然而，在非易失性存储器装置的非易失性存储器单元阵列中，连接到不同字线的存储器单元可根据劣化而引起读取电压的不同改变。为了确保包括一个或多个非易失性存储器装置的存储装置的驱动可靠性，因此需要更精确地调整读取电压。

发明内容

发明构思的实施例提供一种存储装置，其中，考虑了与读取目标存储器单元连接到的字线邻近的字线所连接的存储器单元的操作状态的改变，存储器单元的读取准确性被提高。

发明构思的实施例还提供一种存储装置的读取操作方法，其中，考虑到与读取目标存储器单元连接到的字线邻近的字线所连接的存储器单元的操作状态的改变提高了存储器单元的读取准确性。

发明构思的实施例提供一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含沿第一方向顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元连接到第一字线，并且第二存储器单元连接到第二字线；控制器，包括生成针对第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；和比较器，接收存储在OTP存储器单元阵列中的参考计数值之中的第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并且基于阈值电压移位来确定第一存储器单元的读取电平。

发明构思的实施例还提供一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含沿第一方向顺序堆叠的第一存储器单元、第二存储器单元和串选择晶体管的串，OTP存储器单元阵列包括参考计数值，第一存储器单元连接到第一字线，并且第二存储器单元连接到第二字线；控制器，通过电压生成器连接到非易失性存储器装置；和读取电平生成器，从控制器接收针对第一存储器单元的读取命令，生成针对第一存储器单元的读取电平，并且将读取电平发送到控制器。非易失性存储器装置响应于读取命令而执行第一存储器单元的读取操作。读取电平生成器包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值，并且读取电平生成器还包括：比较器，接收存储在OTP存储器单元阵列中的参考计数值之中的第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并且基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。