[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板；

依次层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，

所述第一有源层通过位于所述第一绝缘层中的第一过孔结构与所述第二有源层接触，所述第一有源层与所述第二有源层未接触的部分通过所述第一绝缘层间隔开。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括源漏电极层，其中，所述源漏电极层与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述源漏电极层通过第二过孔结构与所述第二有源层电连接，所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且至少部分所述源漏电极层延伸至所述第一过孔结构中。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，还包括第一栅极和第二栅极，其中，

所述第一栅极在所述第一有源层的靠近所述衬底基板的一侧，且在所述第一栅极和所述第一有源层之间设置有第一栅绝缘层；

所述第二栅极在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有第二栅绝缘层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二过孔结构依次贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和部分所述第一绝缘层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包括第三有源层，其中，所述第三有源层设置在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧，所述层间绝缘层设置在所述第三有源层和所述第二栅极之间，且所述第三有源层和所述源漏电极层电连接。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，还包括栅极，其中，所述栅极在所述第一有源层和所述第二有源层之间。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，在所述栅极的远离所述第一绝缘层的一侧设置有栅绝缘层，所述第一过孔结构同时贯穿所述第一绝缘层和所述栅绝缘层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，在所述第二有源层和所述源漏电极层之间设置有第二绝缘层，所述第二过孔结构贯穿所述第二绝缘层。

10.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述源漏电极层和所述第二栅极设置在同一层，在所述第二栅极的靠近所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述第二过孔结构依次贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和部分所述第一绝缘层。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层包括层叠设置的第一子有源层和第二子有源层，和/或所述第二有源层包括层叠设置的第三子有源层和第四子有源层。

12.一种阵列基板，包括权利要求1-11中任一项所述的薄膜晶体管。

13.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一有源层；

在所述第一有源层的远离所述衬底基板的一侧施加第一绝缘层薄膜；

对所述第一绝缘层薄膜进行图案化以形成具有第一过孔结构的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第二有源层，

其中，所述第二有源层通过所述第一过孔结构与所述第一有源层接触，所述第一有源层与所述第二有源层未接触的部分通过所述第一绝缘层间隔开。

14.根据权利要求13所述的制备方法，还包括形成源漏电极层，其中，所述源漏电极层与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。