[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管、阵列基板以及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，第一有源层通过位于第一绝缘层中的第一过孔结构与第二有源层接触，第一有源层与第二有源层未接触的部分通过第一绝缘层间隔开，该薄膜晶体管具有多个有源层结构，使得电荷分别聚集在每个有源层的两个表面，从而使得聚集在有源层的表面的电荷的数量成倍地增加，进而使得薄膜晶体管的开态电流成倍地增加。

技术领域

本公开的实施例涉及一种薄膜晶体管、阵列基板以及薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

根据薄膜晶体管的栅电极和有源层的相对位置，可以将薄膜晶体管分为顶栅结构和底栅结构，根据源漏电极层相对于有源层的位置可以将薄膜晶体管分为顶接触型结构和底接触型结构，即薄膜晶体管包括底栅顶接触、底栅底接触、顶栅顶接触和顶栅底接触四种结构。

薄膜晶体管包括硅基薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管以及有机薄膜晶体管等。硅基薄膜晶体管因其具有较好的性能和能大面积制备而广泛用于显示面板。随着显示技术的发展，硅基薄膜晶体管的固有缺点，例如非晶硅薄膜晶体管的迁移率低、稳定性差，多晶硅薄膜晶体管的均匀性差和成本高，使硅基薄膜晶体管难以满足发展的需要。有机薄膜晶体管虽然能够有效的降低成本，但是其性能远不能满足显示技术的需要。相对于硅基薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管的技术优势明显，其具有更高的迁移率、更陡的亚阈值摆幅、更小的关态泄漏电流、更好的器件性能一致性，制备金属氧化物半导体的工艺简单、工艺温度低、稳定性好，且形成的金属氧化物薄膜晶体管对于可见光的透过率高、在弯曲状态下金属氧化物薄膜晶体管器件的特性无明显退化。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，所述第一有源层通过位于所述第一绝缘层中的第一过孔结构与所述第二有源层接触，所述第一有源层与所述第二有源层未接触的部分通过所述第一绝缘层间隔开。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管，还包括源漏电极层，其中，所述源漏电极层与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述源漏电极层通过第二过孔结构与所述第二有源层电连接，所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，且至少部分所述源漏电极层延伸至所述第一过孔结构中。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管，还包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极在所述第一有源层的靠近所述衬底基板的一侧，且在所述第一栅极和所述第一有源层之间设置有第一栅绝缘层；所述第二栅极在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有第二栅绝缘层。

例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二过孔结构依次贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和部分所述第一绝缘层。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管，还包括第三有源层，其中，所述第三有源层设置在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧，所述层间绝缘层设置在所述第三有源层和所述第二栅极之间，且所述第三有源层和所述源漏电极层电连接。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管，还包括栅极，其中，所述栅极在所述第一有源层和所述第二有源层之间。

例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，在所述栅极的远离所述第一绝缘层的一侧设置有栅绝缘层，所述第一过孔结构同时贯穿所述第一绝缘层和所述栅绝缘层。

例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，在所述第二有源层和所述源漏电极层之间设置有第二绝缘层，所述第二过孔结构贯穿所述第二绝缘层。