[发明专利]掩模制造设备和使用该掩模制造设备制造掩模的方法在审
申请号: | 202110591480.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113759658A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 赵俊豪;金昇垣;朴永浩;宋昇勇;李宁哲;任星淳;崔玲硕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/64;B23K26/38;B23K26/21 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈宇;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 设备 使用 方法 | ||
提供了掩模制造设备和使用该掩模制造设备制造掩模的方法,所述掩模制造设备包括:第一台,掩模框架设置在第一台上,掩模框架包括在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上布置的单体开口;传输模块,将单体掩模放置在掩模框架上,以使掩模框架的单体开口分别与单体掩模叠置;相机模块,拍摄单体掩模;第一处理模块,在边界部分与第N单体掩模的第一边缘区域之间照射第一激光束,边界部分与掩模框架的和第N单体开口相邻的部分对应,第一边缘区域设置在边界部分上;以及第二处理模块,向第一边缘区域与第二边缘区域之间的边界区域照射第二激光束,第二边缘区域从第一边缘区域延伸。N是自然数。
本申请要求于2020年6月3日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0067132号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及掩模制造设备和使用该掩模制造设备制造掩模的方法。
背景技术
显示面板可以包括多个像素。像素中的每个可以包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光二极管的显示元件。显示元件可以通过在基底上堆叠电极和发光图案而形成。发光图案可以使用孔可以穿过其限定的掩模而被图案化,因此,发光图案可以形成在预定区域中。发光图案可以形成在通过孔暴露的区域中。
近年来,为了提高显示面板的产量,正在开发用于针对大面积掩模的制造设备和制造方法的技术。
将理解的是,该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而,该背景技术部分也可以包括不作为在此处公开的主题的相应有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、概念或认知。
发明内容
公开提供了一种掩模制造设备,该掩模制造设备能够将掩模以单体单元的形式安装在掩模框架上来制造大面积掩模。
公开提供了一种使用掩模制造设备制造掩模的方法。
实施例提供了一种掩模制造设备,该掩模制造设备可以包括:第一台,掩模框架设置在第一台上,掩模框架包括在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上布置的多个单体开口;传输模块,将多个单体掩模放置在掩模框架上,以使掩模框架的多个单体开口分别与多个单体掩模叠置;相机模块,拍摄多个单体掩模;第一处理模块,在边界部分与第N单体掩模的第一边缘区域之间照射第一激光束,边界部分与掩模框架的和第N单体开口相邻的部分对应,第一边缘区域设置在边界部分上;以及第二处理模块,向第N单体掩模的第一边缘区域与第N单体掩模的第二边缘区域之间的边界区域照射第二激光束,第二边缘区域从第一边缘区域延伸。N是自然数。
传输模块可以包括:头部组件,包括头部框架和设置在头部框架的下表面上的至少一个工具;以及传输驱动器,在第一方向、第二方向或第三方向上传输头部组件,第三方向与由第一方向和第二方向限定的平面基本上垂直。
至少一个工具可以包括多个工具,并且所述多个工具可以彼此间隔开并设置在包括在头部框架中的开口周围。
头部组件可以包括设置在头部框架与所述多个工具之间的拉张驱动器,并且当所述多个工具吸附第N单体掩模时,拉张驱动器可以使所述多个工具在与第N单体掩模的上表面基本上平行的方向上移动并且拉张第N单体掩模。
至少一个工具包括多个工具,并且所述多个工具均可以包括下表面,并且所述多个工具中的每个下表面可以吸附第N单体掩模的第一边缘区域或第二边缘区域的上表面。
所述多个工具可以使用电磁力、静电力和真空吸力中的一种来吸附所述多个单体掩模。
所述多个工具可以包括相对于由第一方向和第二方向限定的平面以一定角度倾斜的接触表面。
第一处理模块可以包括:第一激光照射器,照射第一激光束;以及第一激光驱动器,连接到第一激光照射器,以使第一激光照射器在第一方向、第二方向或第三方向上移动,第三方向与由第一方向和第二方向限定的平面基本上垂直。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备