[发明专利]制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件

权利要求书

1.一种制造基于双架构兼容设计的半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体器件的晶体管(TR)层中形成一个或多个晶体管的一个或多个组件；以及

执行以下操作中的一种：

(A)根据用于半导体器件的埋入式电源轨(BPR)类型的架构制造附加组件，所述埋入式电源轨类型的架构包括晶体管层下方层(sub-TR层)和晶体管层上方层(supra-TR层)；或者

(B)根据用于半导体器件的非埋入式电源轨(非BPR)类型的架构制造附加组件，所述非埋入式电源轨类型的架构包括所述晶体管层上方层；以及

其中：

双架构兼容设计基本上同样适合于适应埋入式电源轨类型的架构或适应非埋入式电源轨类型的架构；

(A)根据埋入式电源轨类型的架构制造附加组件包括：

在相应的晶体管层下方层中形成相应地电耦接至所述晶体管组件的各个非伪结构(非伪sub-TR结构)；以及

在相应的晶体管层上方层中形成各个伪结构(伪supra-TR结构)，所述伪supra-TR结构是由所述双架构兼容设计产生的相应伪像，所述伪像适合于适应非埋入式电源轨类型的架构；以及

(B)根据非埋入式电源轨类型的架构制造附加组件包括：

在相应的晶体管层上方层中：

形成相应地耦接至所述晶体管组件的各个非伪结构(非伪supra-TR结构)；以及

形成各个伪结构(伪supra-TR结构)，所述伪supra-TR结构是由双架构兼容设计产生的相应伪像，所述伪像适合于适应埋入式电源轨类型的架构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述晶体管层和所述晶体管层上方层中的每个基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

所述晶体管层上方层沿着基本垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每个的第三方向堆叠；以及

(B)根据非埋入式电源轨类型的架构制造其他组件还包括：

相对于所述第一方向和所述第二方向中的至少一个，将所述各个伪supra-TR结构相对于所述各个非伪supra-TR结构非对称地定位；或者

相对于所述第一方向和所述第二方向中的至少一个，将所述各个伪supra-TR结构相对于所述各个非伪supra-TR结构对称地定位。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述晶体管层和所述晶体管层上方层中的每个基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

(A)所述晶体管层上方层或(B)所述晶体管层下方层中的至少一个在基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每个的第三方向上堆叠；

从所述第三方向看，给定结构的覆盖区是由所述给定结构所占据的相对于所述第一方向和所述第二方向的面积；以及

(A)根据埋入式电源轨类型的架构制造附加组件还包括：

将所述各个伪sub-TR结构的总覆盖区配置为基本上包含在相应TR组件的总覆盖区内；或者

(B)根据非埋入式电源轨类型的架构制造附加组件还包括：

将所述各个伪supra-TR结构的总覆盖区配置为基本上包含在相应TR组件的总覆盖区内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，(A)根据埋入式电源轨类型的架构制造附加组件还包括：

在相应的晶体管层下方层中，

形成各个伪结构(伪sub-TR结构)，所述伪结构将是由所述双架构兼容设计产生的相应伪像，所述伪像适合于适应所述非埋入式电源轨类型的架构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述晶体管层、所述晶体管层下方层和所述晶体管层上方层中的每个基本上在垂直的第一方向和第二方向上延伸；

所述晶体管层下方层和所述晶体管层上方层在基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上堆叠；以及

(A)根据埋入式电源轨类型的架构制造附加组件还包括：

相对于所述第一方向或所述第二方向中的至少一个，将所述各个伪sub-TR结构相对于所述各个非伪sub-TR结构不对称地定位；或者

相对于所述第一方向或所述第二方向中的至少一个，将所述各个伪supra-TR结构相对于所述各个非伪sub-TR结构对称地定位。