[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成从衬底突出的鳍，所述鳍包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对形成的第二侧壁；

在所述衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料，包括：

沉积与所述第一侧壁接触的所述浅槽隔离材料的第一部分；以及

沉积与所述第二侧壁接触的所述浅槽隔离材料的第二部分；

对所述浅槽隔离材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第一部分，并且以大于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第二部分；以及

对所述浅槽隔离材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第一部分，并且以小于所述第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺包括将氨和氟化氢前体分配到蚀刻室中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺还包括将所述蚀刻室的温度保持在约25℃至约50℃之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括将氨和三氟化氮前体分配到蚀刻室中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺还包括在所述氨和三氟化氮前体上产生等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括形成从所述衬底突出并邻近所述鳍的另一鳍，其中，所述另一鳍包括：

与所述第二侧壁相对的第三侧壁，其中，所述STI材料的所述第一部分形成在所述第二侧壁与所述第三侧壁之间；以及

与所述第三侧壁相对形成的第四侧壁。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻速率与所述第二蚀刻速率的比率大于或等于约1且小于约2。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三蚀刻速率与所述第四蚀刻速率的比率小于或等于1且大于约0.5。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成从衬底突出的多个鳍，所述多个鳍包括第一最外面鳍和第二最外面鳍，其中：

所述第一最外面鳍包括第一内侧壁和与所述第一内侧壁相对形成的第一外侧壁；并且

所述第二最外面鳍包括：

第二内侧壁，与所述第一内侧壁相对；以及

第二外侧壁，与所述第二内侧壁相对形成；

在所述衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料，包括：

在所述第一内侧壁与所述第二内侧壁之间沉积所述浅槽隔离材料的第一部分；以及

沉积与所述第一外侧壁和所述第二外侧壁接触的所述浅槽隔离材料的第二部分；

对所述浅槽隔离材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第一部分，并且以大于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第二部分；以及

对所述浅槽隔离材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第一部分，并且以小于所述第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻所述浅槽隔离材料的所述第二部分。

10.一种半导体结构，包括：

多个鳍，所述多个鳍从衬底突出并且包括第一最外面鳍和第二最外面鳍，其中：

所述第一最外面鳍包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；

所述第二最外面鳍包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁，其中，所述第二侧壁和所述第三侧壁彼此面对；并且

所述第一最外面鳍和所述第二最外面鳍的所述顶面在水平面上对齐；以及

浅槽隔离(STI)材料，位于所述衬底上，所述浅槽隔离材料包括：

第一部分，所述第一部分与所述第一侧壁接触并且包括第一顶面，其中，第一高度是从所述第一顶面到所述水平面测量的；以及

第二部分，所述第二部分位于所述第一最外面鳍与所述第二最外面鳍之间并且包括第二顶面，其中，第二高度是从所述第二顶面到所述水平面测量的，并且所述第二高度大于所述第一高度。