[发明专利]硅晶片和硅晶片的制造方法

权利要求书

1.硅晶片，其是适合在表面形成有半导体器件后薄膜化至50μm以下的芯片厚度的硅晶片，其特征在于：

在表面检测到的14nm以上的尺寸的亮点缺陷的个数为0.12个/cm²以下。

2.权利要求1所述的硅晶片，其中，从表面到相当于上述芯片厚度的深度位置的区域所包含的BMD的密度为3×10⁸个/cm³以上且1×10¹⁰个/cm³以下。

3.权利要求1或2所述的硅晶片，该硅晶片在表面具有DZ层。

4.硅晶片的制造方法，其是适合在表面形成有半导体器件后薄膜化至50μm以下的芯片厚度的硅晶片的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

工序1，通过提拉法培育由除COP发生区域和位错簇区域以外的结晶区域构成的单晶硅锭；

工序2，对所得的单晶硅锭施行晶片加工处理，得到多片硅晶片；以及

工序3，使用表面检查装置检查上述多片硅晶片的表面，选择在表面检测到的14nm以上的尺寸的亮点缺陷的个数为0.12个/cm²以下的硅晶片。

5.权利要求4所述的硅晶片的制造方法，其中，上述工序1以上述单晶硅锭的氧浓度为9～10×10¹⁷atoms/cm³的方式进行，

该制造方法进一步包括以下工序：

工序4，在非氧化性气氛下对工序3中得到的硅晶片施行温度为1000～1300℃、1～10小时的热处理；以及

工序5，在惰性气体或氨气与惰性气体的混合气体的气氛下，对经过了上述工序4的硅晶片以5～120℃/秒的升温速度、5～120℃/秒的降温速度施行温度为500～1200℃、时间为1～600分钟的热处理。