[发明专利]硅晶片和硅晶片的制造方法

说明书

本发明提供硅晶片，所述硅晶片即使在表面形成有半导体器件后进行薄膜化时也具有高的断裂强度。本发明的硅晶片的特征在于：在表面检测到的14nm以上的尺寸的亮点缺陷的个数为0.12个/cm²以下。从表面到相当于芯片厚度的深度位置的区域所包含的BMD的个数为3×10⁸个/cm³以上且1×10¹⁰个/cm³以下。

技术领域

本发明涉及硅晶片和硅晶片的制造方法。

背景技术

以往，作为半导体器件的基板，广泛使用硅晶片。硅晶片是通过对利用提拉(Czochralski、CZ)法、悬浮区熔(Floating Zone、FZ)法等培育(生长)的单晶硅锭施行切片处理、平坦化处理、倒角处理、蚀刻处理、双面抛光处理、精抛光处理等来制造的(晶片制造工序)。

半导体器件是通过对以上述方式制造的硅晶片施行成膜处理、曝光/显影处理、蚀刻处理、杂质扩散处理而在硅晶片的表面形成LSI (前工序)，再施行切割处理、薄膜化处理、安装处理、接合处理、模塑处理等(后工序)而形成的(器件形成工序)。

然而，近年来随着半导体器件的微细化的进行，最终的芯片的厚度薄型化至50μm以下，预测将来会薄型化至10μm以下。在通过真空吸附处理这样的极薄的芯片时，有时会对芯片的局部施加最大为3000MPa的弯曲应力。因此，硅晶片关键是要即使在薄膜化成50μm以下的极薄的厚度时也具有可耐受3000MPa的弯曲应力的高的断裂(破坏)强度。

以往，由于滑移位错从硅晶片的正反面的微小瑕疵扩展到本体中而使硅晶片的强度下降，因此提出了各种用于提高硅晶片的强度的技术。例如，在专利文献1中记载了下述方法：通过对包含氧浓度为20×10¹⁷atoms/cm³以下的体微缺陷(BMD：Bulk Micro Defect，微小缺陷)的层的硅晶片施行形成1×10¹⁰atoms/cm³以上的20nm以下的尺寸的氧沉淀核的处理，来制造滑移强度高的硅晶片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-40980号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在专利文献1所记载的技术中，对于在表面形成有半导体器件后薄膜化至50μm以下的极薄厚度时的硅晶片(芯片)的强度，并未进行研究。

本发明是鉴于上述课题而完成的发明，其目的在于提供：即使在表面形成有半导体器件后进行薄膜化时也具有高的断裂强度的硅晶片。

用于解决课题的手段

解决上述课题的本发明如下。

[1] 硅晶片，其是适合在表面形成有半导体器件后薄膜化至50μm以下的芯片厚度的硅晶片，其特征在于：

在表面检测到的14nm以上的尺寸的亮点缺陷的个数为0.12个/cm²以下。

[2] 上述[1]所述的硅晶片，其中，从表面到相当于上述芯片厚度的深度位置的区域所包含的BMD的密度为3×10⁸个/cm³以上且1×10¹⁰个/cm³以下。

[3] 上述[1]或[2]所述的硅晶片，该硅晶片在表面具有DZ层。

[4] 硅晶片的制造方法，其是适合在表面形成有半导体器件后薄膜化至50μm以下的芯片厚度的硅晶片的制造方法，其特征在于，包括以下工序：