[发明专利]一种高强度压敏电阻及其制备方法

权利要求书

1.一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于，包括

基体层；

X层包覆电极层，所述包覆电极层包括由内至外依次重复堆叠沉积的铬电极层和铜镍合金电极层，所述包覆电极层设于所述基体层表面，所述铬电极层和所述铜镍合金电极层的层数相同；

树脂包覆层，所述树脂包覆层固定包覆于所述包覆电极层外；

包括以下步骤：

S1、包覆铬电极层：取氧化锌陶瓷基体和铬靶材，将氧化锌陶瓷基体和铬靶材放置于真空室内，调节真空室内的真空度，向真空室内通入溅射气体，先预溅射10-15min，再对氧化锌陶瓷基体进行溅射处理，制得一次产物；

S2、包覆铜镍合金电极层：取一次产物和铜镍合金靶材，将铬靶材更换为铜镍合金靶材，先预溅射5-10min，再对一次产物进行溅射处理，制得二次产物；

S3、重复步骤S1、S2，制得中间体；

S4、包覆树脂层：将环氧树脂涂覆于中间体上包覆电极层的一侧，通过流化、固化，制得压敏电阻；

所述铬靶材采用以下方法制成：

（1）压制：将靶材粉末置于压制模具内，压制成型，等待静压成型，得到铬靶环；

（2）烧结处理：将铬靶环放置于真空碳管炉中，调节烧结温度，进行烧结，制得铬靶材；

所述靶材粉末包括铬粉和无水碳酸钾，所述靶材粉末采用以下方法制成：

（1）以质量比10-20:1取铬粉和无水碳酸钾，混合制得混合粉料；

（2）将上述制得的混合粉料加入研磨机器，研磨3h，制得靶材粉末。

2.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的温度变化为：在1h内程序升温至300-500℃；再继续在3h内程序升温至600-800℃；通入氩气，在氩气气氛下，在7h内程序升温至1100-1200℃；最后程序升温至1250℃保温处理1-2h。

3.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于：所述压制成型采用的方法为双向压制法。

4.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中包覆铜镍合金电极层还包括以下步骤：

（1）将二次产物放置于退火室中，调节退火室的真空度，调节退火室的温度为350℃；

（2）退火处理1h，制得经退火处理的二次产物。

5.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中一次产物进行包覆铬电极层前，对一次产物进行预处理，包括以下步骤：

（1）调节真空室内的真空度；

（2）将一次产物经2h程序升温至350-450℃，得经预处理的一次产物。

6.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于，还包括基体处理步骤：

将氧化锌陶瓷基体分别置于质量浓度为1.5％的盐酸溶液、质量浓度为1.5％的氢氧化钠溶液中，各浸泡5s后，取出，采用去离子水冲洗，直至冲洗后的溶液呈中性，制得经基体处理的氧化锌陶瓷基体。

7.根据权利要求1所述的一种高强度压敏电阻的制备方法，其特征在于：所述溅射气体包括按体积比1:4-100组合而成的氧气和氩气。