[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

漂移区；

体区，位于所述漂移区靠近发射极的一侧；

第一埋层以及第二埋层，位于所述漂移区以及所述体区之间；

其中，所述第一埋层位于所述体区的下方，并与所述体区接触；所述第二埋层位于所述第一埋层的下方，并与所述第一埋层接触；所述第一埋层的掺杂类型与所述第二埋层的掺杂类型不同。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层提供的电荷数与所述第二埋层提供的电荷数相同。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层的厚度与所述第二埋层的厚度相同。

4.如权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层的第一掺杂浓度与所述第二埋层的第二掺杂浓度相同。

5.如权利要求2-4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层的第一掺杂浓度以及所述第二埋层的第二掺杂浓度均小于或等于所述体区的掺杂浓度。

6.如权利要求2-4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层的第一掺杂浓度以及所述第二埋层的第二掺杂浓度均小于或等于目标浓度，所述目标浓度为通过所述第一埋层与所述第二埋层的内建电场完成全耗尽时对应的掺杂浓度。

7.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一埋层的长度、所述第二埋层的长度以及所述体区的长度均相同。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述漂移区为N型漂移区，所述体区为P型体区，所述第一埋层为N型埋层，所述第二埋层为P型埋层。

9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，绝缘栅双极型晶体管包括：自底向上设置的集电极、缓冲区、所述漂移区、所述第二埋层、所述第一埋层、所述体区以及发射极区，所述发射极区包括所述发射极以及与所述发射极接触的重掺杂体区；所述绝缘栅双极型晶体管还包括栅极区、集电极电极以及发射极电极，所述栅极区位于所述漂移区的沟槽内，并与所述发射极区以及所述体区接触；所述集电极电极位于所述集电极的下方，所述发射极电极位于所述发射极区的上方。

10.一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成漂移区；

在所述漂移区上方形成第二埋层；

在所述第二埋层的上方形成第一埋层，其中，所述第一埋层的掺杂类型与所述第二埋层的掺杂类型不同；

在所述第一埋层上方形成体区。

11.一种功率器件，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。