[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备

说明书

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备，绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；体区，位于所述漂移区靠近发射极的一侧；第一埋层以及第二埋层，位于所述漂移区以及所述体区之间；其中，所述第一埋层位于所述体区的下方，并与所述体区接触；所述第二埋层位于所述第一埋层的下方，并与所述第一埋层接触；所述第一埋层的掺杂类型与所述第二埋层的掺杂类型不同。上述方案，提高了绝缘栅双极型晶体管导通时靠近发射极侧的漂移区内的载流子浓度，有效降低了导通压降。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及 电子设备。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由双极型三极管 (Bipolar Junction Transistor,BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，且驱动功率小而饱 和压降低，被广泛应用到各个领域。

IGBT的关断损耗和导通压降通常表现为一种折中关系，目前，可以通过调节集电极的 浓度来调节关断损耗，但这种调节在改善关断损耗的同时，会牺牲导通压降，即导通损耗 会升高。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问 题的绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备。

第一方面，提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括：

漂移区；

体区，位于所述漂移区靠近发射极的一侧；

第一埋层以及第二埋层，位于所述漂移区以及所述体区之间；

其中，所述第一埋层位于所述体区的下方，并与所述体区接触；所述第二埋层位于所 述第一埋层的下方，并与所述第一埋层接触；所述第一埋层的掺杂类型与所述第二埋层的 掺杂类型不同。

在一些实施方式中，所述第一埋层提供的电荷数与所述第二埋层提供的电荷数相同。

在一些实施方式中，所述第一埋层的厚度与所述第二埋层的厚度相同。

在一些实施方式中，所述第一埋层的第一掺杂浓度与所述第二埋层的第二掺杂浓度相 同。

在一些实施方式中，所述第一埋层的第一掺杂浓度以及所述第二埋层的第二掺杂浓度 均小于或等于所述体区的掺杂浓度。

在一些实施方式中，所述第一埋层的第一掺杂浓度以及所述第二埋层的第二掺杂浓度 均小于或等于目标浓度，所述目标浓度为通过所述第一埋层与所述第二埋层的内建电场完 成全耗尽时对应的掺杂浓度。

在一些实施方式中，所述第一埋层的长度、所述第二埋层的长度以及所述体区的长度 均相同。

在一些实施方式中，所述漂移区为N型漂移区，所述体区为P型体区，所述第一埋层为N型埋层，所述第二埋层为P型埋层。

在一些实施方式中，绝缘栅双极型晶体管包括：绝缘栅双极型晶体管包括：自底向上 设置的集电极、缓冲区、所述漂移区、所述第二埋层、所述第一埋层、所述体区以及发射极区，所述发射极区包括所述发射极以及与所述发射极接触的重掺杂体区；所述绝缘栅双极型晶体管还包括栅极区、集电极电极以及发射极电极，所述栅极区位于所述漂移区的沟槽内，并与所述发射极区以及所述体区接触；所述集电极电极位于所述集电极的下方，所述发射极电极位于所述发射极区的上方。

第二方面，提供一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成漂移区；