[发明专利]一种镀膜载体和利用其增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法在审
申请号: | 202110593840.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113611640A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 黄金;王继磊;杨立友;白焱辉;鲍少娟;杨骥;李莎;贾慧君;郭磊;孔青青 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司;晋能清洁能源科技股份公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18;H01L31/20;C23C14/50;C23C16/458 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 赵徐平 |
地址: | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 载体 利用 增大 异质结 太阳能电池 tco 面积 方法 | ||
1.一种镀膜载体,其特征在于,包括载体本体和盛放硅片的多个放置部,所述放置部沿所述载板本体纵向和横向均匀分布;
所述放置部包括第一框体和第二框体,所述第一框体设于所述第二框体外侧;
所述第二框体内侧壁上相对设置多个支撑点。
2.根据权利要求1所述的一种镀膜载体,其特征在于,当所述第二框体内侧4角设置支撑点或对角设置支撑点时,所述第二框体的两个相对内侧壁的距离为Z,所述硅片的边长为A,所述Z≤A-0.2mm。
3.根据权利要求2所述的一种镀膜载体,其特征在于,当所述第二框体内侧壁上均设置支撑点时,所述相对设置的支撑点的距离为Z1,所述第二框体的两个相对内侧壁的距离为Z2;所述Z1=Z,所述Z2>Z。
4.根据权利要求3所述的一种镀膜载体,其特征在于,所述支撑点为三角形、半圆形或方形。
5.根据权利要求4所述的一种镀膜载体,其特征在于,所述镀膜载体的材料选用不锈钢、航空铝和钛合金的一种。
6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的镀膜载体用于增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将晶体硅片进行制绒、清洗;
(2)利用等离子体化学气相沉积在步骤(1)得到的晶体硅片的正面及背面制备双本征非晶硅层;
(3)在双面本征非晶硅层上制备双面的掺杂非晶硅层;
(4)将步骤(3)中制得的硅片放置于镀膜载体的放置部上,然后在双面的掺杂非晶硅层上制备导电薄膜层和/或掩膜区域;
(5)在导电薄膜层和/或掩膜区域上通过丝网印刷的方式形成金属电极。
7.根据权利要求6所述的一种增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述制绒得到的绒面结构呈金字塔结构的受光面。
8.根据权利要求6所述的一种增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法,其特征在于,步骤(4)中,所述制备导电薄膜层和/或掩膜区域的方法为磁控溅射的方法或反应等离子体沉积法;
所述导电薄膜层于掺杂非晶硅层上的两个面上形成;
所述掩膜区域于掺杂非晶硅层的一个面或两个面上形成。
9.根据权利要求8所述的一种增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法,其特征在于,所述掩膜区域的宽度B=(A-Z)/2mm;
或,所述掩膜区域分成两个区域,其宽度分别为B1=(A-Z1)/2mm和B2=(A-Z2)/2mm。
10.根据权利要求8所述的一种增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法,其特征在于,所述掺杂非晶硅层的一面掺杂P形成N型掺杂非晶硅,另一面掺杂B形成P型掺杂非晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造