[发明专利]一种镀膜载体和利用其增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法

说明书

本发明公开了一种镀膜载体，包括载体本体和盛放硅片的多个放置部，放置部沿载板本体纵向和横向均匀分布；放置部包括第一框体和第二框体，第一框体设于第二框体外侧；第二框体内侧壁上相对设置多个支撑点；并公开增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)在晶体硅片的正面制备双本征非晶硅层，然后制备双掺杂非晶硅层；(3)将制备后的双掺杂非晶硅层的硅片放置于镀膜载体的放置部上，然后分别在双掺杂非晶硅层上制备得到导电薄膜层和掩膜区域；(4)在导电薄膜层上通过丝网印刷的方式形成金属电极。采用本发明中的镀膜载体，应用到后续的镀膜方法中能够增大TCO镀膜面积。

技术领域

本发明涉及太阳能技术领域，更具体的说是涉及一种镀膜载体和利用其增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法。

背景技术

目前，随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。其中用非晶硅本征层(a-Si:H(i))钝化的硅基异质结太阳电池(HJT电池)是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度、工艺流程短等优势。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲电池组件。

然而，现有的HJT电池中非晶硅的导电性不佳，在表面需覆盖透明导电薄膜是常用的手段，目前透明导电薄膜的种类很多包括In₂O₃、SnO₂、ZnO、 In₂O₃:Sn(ITO)、In₂O₃:Mo(IMO)、In₂O₃:W(IWO)、SnO₂:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)、 ZnO:Al(ZnO)、ZnO·SnO₂、ZnO·In₂O₃、CdSb₂O₆、MgIn₂O₄、In₄Sn₃O1₂、Zn₂In₂O₅、 CdIn₂O₄、Cd₂SnO₄、Zn₂SnO₄、GaInO₃等；由于HJT电池的双面性特征，正背面同时具有非晶硅层，在非晶硅层表面形成的导电薄膜层掩膜区域过大，这里所指的掩膜区域为在镀非晶硅层的表面上未覆盖导电层的部分，相比于窄掩膜电池片，掩膜区域过大会造成效率上的损失。

目前，形成的导电薄膜层表面为单面存在或者双面存在掩膜区域，通过在沉积薄膜的载具支撑硅片的周边加工形成凹槽，起到呈放硅片基体并形成掩膜区的作用，掩膜区域距硅片边缘横向距离很难小于0.8mm，这主要取决于以下三个因素，一是加工精度很难将支撑的凹槽载边加工的过于窄小；二是自动化机械放片精度不足及传输过程中振动，支撑的凹槽载边过小后容易造成掩膜偏离中心位置造成掩膜偏移，即硅片上未覆盖导电层区域无法形成对称，三是支撑的凹槽载边过小后镀膜时容易造成绕镀，正背面形成短接。

因此，如何提供一种能够改善导电层的性能进一步提高HJT电池的量产效率，加速大面积产业化进程的增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种能够改善导电层的性能进一步提高HJT电池的量产效率，加速大面积产业化进程的增大异质结太阳能电池TCO镀膜面积的方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种镀膜载体，包括载体本体和盛放硅片的多个放置部，所述放置部沿所述载板本体纵向和横向均匀分布；