[发明专利]一种异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法

权利要求书

1.一种异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)、ITO玻璃的预处理：切割ITO玻璃，用无水乙醇擦拭ITO玻璃表面，然后分别在丙酮、异丙醇、超纯水中超声20分钟；接着在氨水和过氧化氢的混合水溶液中煮沸保持30分钟，最后浸泡在超纯水中备用；

步骤2)、AuNPs/ITO电极的制备：以HAuCl₄和NaClO₄混合溶液为金纳米粒子的沉积溶液，通过指甲油涂抹控制ITO电极的几何面积为0.3cm²；先在预处理好的ITO玻璃电极上施加一个电位阶跃，随后通过循环伏安法，设置循环伏安圈数来控制电化学沉积的量，最终得到AuNPs/ITO电极；

步骤3)、PtNPs/AuNPs/ITO电极的制备：以所述AuNPs/ITO电极为沉积基底，以铂离子的硫酸溶液为沉积溶液；通过电化学循环伏安法在金纳米粒子表面沉积小颗粒的铂纳米粒子，设定电沉积圈数、电位和扫速，沉积结束过后用蒸馏水清洗电极，氮气吹干保存。

2.如权利要求1所述的异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，所述氨水和过氧化氢的混合水溶液中各组分的体积比为水：氨水：过氧化氢＝5:1:1。

3.如权利要求1所述的异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中HAuCl₄和NaClO₄的浓度范围分别为0.05-0.5mM和0.05-0.5M。

4.如权利要求1所述的异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中电位阶跃为+0.89V阶跃至-0.8V；循环伏安法电位范围控制在0.4V至-0.1V范围内，沉积圈数范围为10-500。

5.如权利要求1所述的异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中铂离子来源于氯铂酸钾，其浓度范围是0.05-0.5mM，硫酸的浓度为0.05-0.5M。

6.如权利要求1所述的异质结构的铂金纳米粒子阵列修饰电极的制备方法，其特征在于，所述步骤3)的电沉积圈数范围为50-250、电位设定在1.0V至-0.5V范围内，扫速为0.5Vs^-1。