[发明专利]一种硅片激光退火定位设备及其使用方法有效
申请号: | 202110596137.8 | 申请日: | 2021-05-30 |
公开(公告)号: | CN113488404B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 周洪 | 申请(专利权)人: | 深圳市嘉伟亿科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/268 |
代理公司: | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人: | 赵爱婷 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 激光 退火 定位 设备 及其 使用方法 | ||
1.种硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述硅片激光退火定位设备包括定位板以及设置在所述定位板上的吸附区域和压力感应区域,所述吸附区域位于所述压力感应区域的中心,所述硅片通过吸附区域吸附后,所述硅片部分落入所述压力感应区域内从而感应所述硅片的平面位置;所述硅片激光退火定位设备还包括安装支架和吸附伸缩组件,所述安装支架与所述定位板固定连接,所述安装支架位于背离压力感应区域一侧,所述定位板上开设有供所述吸附区域通过的通孔,所述吸附伸缩组件用于控制所述吸附区域沿着定位板的法向移动;硅片吸附前,预设吸附区域所在位置,使得吸附平面低于压力感应探针的感应平面;通过吸附区域将硅片吸附,硅片在吸附区域的作用下作用于压力感应探针,使得压力感应探针压缩,通过计算机得到硅片的位置信息;通过吸附伸缩组件控制吸附区域向外伸出,使得吸附平面远离压力感应探针的感应平面,随后即可进行激光退火操作。
2.根据权利要求1所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述压力感应区域包括若干压力感应探针,所述压力感应探针的一端连接至定位板,另一端沿定位板的法向向外延伸以承接所述硅片,所述压力感应探针连接至计算机,将所有压力感应探针编号,每一压力感应探针对应一个压力输出信号,硅片所处位置与所在区域的压力感应探针对应。
3.根据权利要求2所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述压力感应探针可沿其轴向伸缩。
4.根据权利要求3所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述压力感应探针包括内杆、外杆、压力传感器和弹性支撑装置,所述压力传感器位于所述外杆内侧底部,所述内杆滑动设置在所述外杆内,所述内杆的内端通过弹性支撑装置连接至所述压力传感器。
5.根据权利要求4所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述内杆的外端转动设置有一球体,所述内杆上开设有与所述球体配合的球槽。
6.根据权利要求5所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述内杆的下部外侧开设有若干条形透气槽,所述条形透气槽沿着内杆的轴向布置,所述条形透气槽从外杆的外侧延伸至外杆的内侧将外杆的内腔与外侧连通。
7.根据权利要求4所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述定位板上开设有与所述外杆的内腔连通的螺纹孔,所述螺纹孔内螺纹连接有一螺纹杆,所述螺纹杆的上端与所述压力传感器抵接。
8.根据权利要求1-7任一项所述的硅片激光退火定位设备的使用方法,其特征在于:所述吸附区域包括吸附腔体、环形布置于所述吸附腔体外侧的若干吸嘴、连通所述吸附腔体和吸嘴的负压装置,所述负压装置与所述吸附伸缩组件传动连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造