[发明专利]一种硅片激光退火定位设备及其使用方法

说明书

本发明公开了一种硅片激光退火定位设备及其使用方法，属于半导体制造技术领域，包括定位板以及设置在所述定位板上的吸附区域和压力感应区域，所述吸附区域位于所述压力感应区域的中心，所述硅片通过吸附区域吸附后，所述硅片部分落入所述压力感应区域内从而感应所述硅片的平面位置。本发明设备可以在硅片进行激光退火前，快速对硅片进行定位，减少芯片的生产工艺流程，减少生产成本。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片激光退火定位设备及其使用方法。

背景技术

在激光退火工艺中，硅片在定位夹紧后，需要对硅片的位置进行准确地识别，以确保激光退火工艺精度。如果无法辨别硅片和吸盘的位置，硅片边缘提取精度低，导致硅片对准成功率较低，则需要反复多次调试校准，硅片与吸盘对准效率低，影响激光退火设备产能。

公告号为CN112117209A的发明申请公开了一种硅片吸附装置及激光退火设备，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，还包括标识差异件，标识差异件设置在硅片吸附装置上，用于形成标识区域。但是发明装置中，在形成标识区域后，还需要通过检测装置识别该标识区域，才能准确提取硅片边缘的位置精度，增加了生产工艺流程，提高了产品交付期限，还增加了芯片的生产成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种硅片激光退火定位设备及其使用方法，可以在硅片进行激光退火前，快速对硅片进行定位，减少芯片的生产工艺流程，减少生产成本。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明一种硅片激光退火定位设备，包括定位板以及设置在所述定位板上的吸附区域和压力感应区域，所述吸附区域位于所述压力感应区域的中心，所述硅片通过吸附区域吸附后，所述硅片部分落入所述压力感应区域内从而感应所述硅片的平面位置。

进一步，所述压力感应区域包括若干压力感应探针，所述压力感应探针的一端连接至定位板，另一端沿定位板的法向向外延伸以承接所述硅片所述压力感应探针连接至计算机，将所有压力感应探针编号，每一压力感应探针对应一个压力输出信号，硅片所处位置与所在区域的压力感应探针对应。

进一步，所述压力感应探针可沿其轴向伸缩。

进一步，所述压力感应探针包括内杆、外杆、压力传感器和弹性支撑装置，所述压力传感器位于所述外杆内侧底部，所述内杆滑动设置在所述外杆内，所述内杆的内端通过弹性支撑装置连接至所述压力传感器。

进一步，所述内杆的外端转动设置有一球体，所述内杆上开设有与所述球体配合的球槽。

进一步，所述内杆的下部外侧开设有若干条形透气槽，所述条形透气槽沿着内杆的轴向布置，所述条形透气槽从外杆的外侧延伸至外杆的内侧将外杆的内腔与外侧连通。

进一步，所述定位板上开设有与所述外杆的内腔连通的螺纹孔，所述螺纹孔内螺纹连接有一螺纹杆，所述螺纹杆的上端与所述压力传感器抵接。

进一步，所述硅片激光退火定位设备还包括安装支架和吸附伸缩组件，所述安装支架与所述定位板固定连接，所述安装支架位于背离压力感应区域一侧，所述定位板上开设有供所述吸附区域通过的通孔，所述吸附伸缩组件用于控制所述吸附区域沿着定位板的法向移动。

进一步，所述吸附区域包括吸附腔体、环形布置于所述吸附腔体外侧的若干吸嘴、连通所述吸附腔体和吸嘴的负压装置，所述负压装置与所述吸附伸缩组件传动连接。

一种硅片激光退火定位设备的使用方法，采用上述所述的硅片激光退火定位设备，硅片吸附前，预设吸附区域所在位置，使得吸附平面低于压力感应探针的感应平面；通过吸附区域将硅片吸附，硅片在吸附区域的作用下作用于压力感应探针，使得压力感应探针压缩，通过计算机得到硅片的位置信息；通过吸附伸缩组件控制吸附区域向外伸出，使得吸附平面远离压力感应探针的感应平面，随后即可进行激光退火操作。