[发明专利]一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法

权利要求书

1.一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上刻蚀形成多个Fin结构，所述Fin结构上形成有缓冲层；所述缓冲层上形成有硬掩膜层；所述Fin结构、缓冲层以及硬掩膜层构成叠层，其中用作NMOS的所述叠层为第一结构；用作PMOS的所述叠层为第二结构；

步骤二、在所述叠层的侧壁形成第一侧墙；

步骤三、沉积覆盖所述叠层及其上所述第一侧墙、所述硅基底上表面的有机分布层；之后沿所述叠层的侧壁刻蚀所述有机分布层以及所述第一侧墙至将所述Fin结构的侧壁部分暴露为止；所述Fin结构的底部仍保留一部分所述第一侧墙；所述硅基底上仍剩余所述有机分布层；

步骤四、在剩余的所述有机分布层上继续沉积有机分布层，使其将所述Fin结构的部分包裹；之后在所述有机分布层上方的所述Fin结构部分、所述缓冲层以及所述硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙；

步骤五、将所述有机分布层全部去除，与所述有机分布层直接接触的所述Fin结构的侧壁部分被暴露；

步骤六、在所述第一、第二结构上以及硅基底上表面覆盖一层BSG层；

步骤七、去除所述第二结构上的所述BSG层，保留所述第一结构上的所述BSG层；之后在所述第二结构上覆盖一层PSG层；

步骤八、进行退火，以使所述第一结构中Fin结构侧壁的BSG层中的硅和所述第二结构中Fin结构侧壁的PSG层中的磷分别向所述Fin结构内部进行侧向扩散；同时使得所述硅基底上表面的所述BSG层中的硅和所述PSG层中的磷分别向所述硅基底上表面下方的硅基底内部进行扩散；

步骤九、在所述第一、第二结构上覆盖一层氧化层以填充所述第一、第二结构之间的空间，之后刻蚀该氧化层将所述第一、第二结构上的所述硬掩膜层顶部暴露；

步骤十、刻蚀所述氧化层、所述BSG层以及所述PSG层，将所述Fin结构中未被扩散的部分完全暴露，同时将所述Fin结构中被扩散部分的上端暴露。

2.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤二中在所述叠层的侧壁形成所述第一侧墙的方法包括：在所述硅基底上沉积覆盖所述叠层的第一材料；之后刻蚀所述第一材料使所述叠层中的所述硬掩膜层的顶部暴露，并且使所述硅基底上表面暴露，在所述叠层的侧壁保留所述第一材料，形成所述第一侧墙。

3.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤六中的所述BSG层覆盖所述硅基底上表面、所述第一、第二结构中的所述第一侧墙、被暴露的所述Fin结构的侧壁部分、第二侧墙以及所述硬掩膜层的侧壁和顶部。

4.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤七中去除所述第二结构上的所述BSG层的同时，所述第二结构两侧硅基底上表面的所述BSG层也被去除。

5.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤七中保留所述第一结构上的所述BSG层的同时，所述第一结构两侧的所述硅基底上的所述BSG层也被保留。

6.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤七中在所述第二结构上覆盖所述PSG层的同时，所述第二结构两侧的所述硅基底上表面也覆盖有所述PSG层。

7.根据权利要求1所述的FinFET结构的抗穿通掺杂方法，其特征在于：步骤九中利用FVCD的方法在所述第一、第二结构上覆盖所述氧化层。