[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一晶粒；

一第一导电特征，位在该第一晶粒中；

一第二晶粒，位在该第一晶粒上；

一第一遮罩层，位在该第二晶粒上；

一导电填充层，位在沿着该第一遮罩层以及该第二晶粒处，延伸到该第一晶粒并接触该第一导电特征；

多个绝缘层，位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第二晶粒之间；以及

多个保护层，位在该导电填充层与该第一遮罩层之间，并覆盖所述绝缘层的上部。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述绝缘层的最高点位在一垂直位面，是齐平于该第一遮罩层的一下表面的一垂直位面。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，在该第一遮罩层与所述保护层之间的多个界面是呈锥形。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，在该第一遮罩层的一上表面与位在该第一遮罩层与所述保护层之间的所述界面之间的一角度，是介于大约120度到大约135度之间。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，位在所述保护层与该导电填充层之间的多个界面是大致呈垂直。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，该导电填充层是由多晶硅、钨、铜、纳米碳管或焊料合金所制，所述绝缘层是由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、四乙基硅酸盐、聚对二甲苯、环氧树脂或聚对二甲苯所制。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一阻障层，位在所述绝缘层与该导电填充层之间，其中该阻障层是由钽、氮化钽、钛、氮化钛、铼、硼化镍或氮化钽/钽双层所制。

8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括一粘着层，位在该阻障层与该导电填充层之间，其中该粘着层由钛、钽、钛钨或氮化锰所制。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一晶种层，位在该粘着层与该导电填充层之间，其中该晶种层具有一厚度，是介于大约10nm到大约40nm之间。

10.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该导电填充层的一宽度是介于大约1μm到大约22μm之间。

11.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该导电填充层的一深度介于大约20μm到大约160μm之间。

12.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该导电填充层的一深宽比是介于大约1：2到大约1：35之间。

13.如权利要求3所述的半导体元件，其中，位在该第一遮罩层与所述保护层之间的所述界面是大致呈垂直。

14.一种半导体元件，包括：

一第一晶粒；

一第一导电特征，位在该第一晶粒中；

一第一遮罩层，位在该第一晶粒上；

一导电填充层，位在沿着该第一遮罩层处，延伸到该第一晶粒并接触该第一导电特征；

多个绝缘层，位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第一遮罩层之间；以及

多个保护层，位在该导电填充层与所述绝缘层之间；

其中所述保护层的最低点是位在一垂直位面，该垂直位面是较低于在该第一遮罩层的一下表面的一垂直位面。

15.如权利要求14所述的半导体元件，其中，在该第一遮罩层与所述绝缘层之间的多个界面是呈锥形。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中，位在该导电填充层与所述保护层之间的多个界面是大致呈垂直。