[发明专利]单晶体管双电容器非易失性存储器单元

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件，包括：

存储器晶体管；

第一电容器，其被耦接到所述存储器晶体管；以及

第二电容器，其被耦接到所述存储器晶体管，其中

所述第二电容器包括第一电极和第二电极，并且

所述第二电极连接到输入端子。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述第二电容器的所述第一电极被耦接到所述存储器晶体管的栅电极。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述第二电容器的所述第一电极包括所述存储器晶体管的栅电极。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器器件，进一步包括：

间隔物电介质，其将所述第二电容器的所述第一电极与所述第二电极分隔开；并且

所述第二电容器的所述第二电极邻近所述存储器晶体管的所述栅电极。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储器器件，其中，所述存储器晶体管的所述栅电极是浮栅。

6.根据权利要求2所述的非易失性存储器器件，其中，所述存储器晶体管进一步包括：

半导体衬底，其位于所述存储器晶体管的所述栅电极下方；

电介质层，其位于所述存储器晶体管的所述栅电极和所述半导体衬底之间；

所述存储器晶体管的漏极，其位于所述半导体衬底中并且邻近所述电介质层；以及

所述存储器晶体管的源极，其位于所述半导体衬底中并且邻近所述电介质层的与所述存储器晶体管的所述漏极相反的一侧。

7.根据权利要求2所述的非易失性存储器器件，其中，所述第一电容器进一步包括：

n阱和位于所述n阱上方的n阱电容器电极，其中，所述n阱电容器电极连接到所述存储器晶体管的所述栅电极；

n阱电介质，其位于所述n阱电容器电极与所述n阱之间；以及

n+掺杂的半导体区域，其位于所述n阱中并且邻近所述n阱电介质。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器器件，其中，所述n+掺杂的半导体区域连接到输入端子；并且

连接到所述n+掺杂的半导体区域的所述输入端子不同于连接到所述第二电容器的所述第二电极的所述输入端子。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器器件，其中，所述半导体衬底是p掺杂的并且包括p阱。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器器件，进一步包括：

p+掺杂的半导体区域，其包括衬底端子并且位于所述p阱中。

11.根据权利要求6所述的非易失性存储器器件，进一步包括：

隔离结构，其邻近所述半导体衬底，其中，所述第二电容器的所述第二电极位于所述隔离结构上方。

12.一种非易失性存储器器件，包括：

存储器晶体管，其包括栅电极；

第一电容器，其被耦接到所述存储器晶体管的所述栅电极；

第二电容器，其被耦接到所述存储器晶体管的所述栅电极；

所述第二电容器包括第一电极、邻近所述第一电极的绝缘层和邻近所述绝缘层的第二电极；并且

所述第二电容器的所述第二电极连接到输入端子。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器器件，其中，所述第二电容器的所述第一电极被耦接到所述存储器晶体管的所述栅电极。

14.根据权利要求12所述的非易失性存储器器件，其中，所述第二电容器的所述第一电极包括所述存储器晶体管的所述栅电极。

15.根据权利要求12所述的非易失性存储器器件，其中，所述存储器晶体管的所述栅电极包括浮栅。