[发明专利]应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法

权利要求书

1.一种应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于，包括如下步骤：

设置冷冻制样仪的温度和湿度，在制样容器中利用液氮对液态乙烷预冷；

取载网固定在冷冻制样仪上，将样品溶液滴加至载网上，除去多余样品溶液，在载网上下两面形成液膜；

将载网插入预冷后的液态乙烷中玻璃化；

其中，在冷冻电镜样品制备过程中，对载网液膜上的二维膜界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变，包括：先在铺有连续二维膜的载网上滴加阳离子去污剂或阴离子去污剂，静置4-6分钟后再将样品溶液滴加至载网上；

或者在无二维膜的载网液膜上，对气液界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变，包括：先在样品溶液中加入阳离子去污剂和/或阴离子去污剂，再将加入阳离子去污剂或阴离子去污剂的样品溶液滴加至载网上。

2.根据权利要求1所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述阳离子去污剂和阴离子去污剂的质量百分比浓度为0.002％～0.01％，所述阳离子去污剂为CTAB或DTAC，所述阴离子去污剂为CHS或SLS。

3.根据权利要求1所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述阳离子去污剂和阴离子去污剂的质量百分比浓度为0.01％～0.02％，所述阳离子去污剂为CTAB或DTAC，所述阴离子去污剂为CHS、SLS或聚乙烯亚胺。

4.根据权利要求1所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于，对载网液膜上的二维膜界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变，包括：先在铺有连续二维膜的载网上滴加氨基芘、1-芘羧酸、苯酚或间苯三酚，静置4-6分钟后再将样品溶液滴加至载网上。

5.根据权利要求4所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述氨基芘、1-芘羧酸、苯酚或间苯三酚的质量百分比浓度为0.01％～0.1％。

6.根据权利要求1-5任一项所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述载网上的连续二维膜为碳膜、石墨烯膜或氮化硼膜。

7.根据权利要求6所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述载网上的连续二维膜的铺设方法为，在微孔阵列碳支持膜的透射电镜载网的碳支持膜面紧密贴附通过化学气相沉积法制备的铜基二维膜，然后使用三氯化铁溶液蚀刻铜基，经过多次清洗，最终将二维膜平铺至微孔阵列碳支持膜上。

8.根据权利要求4所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法，其特征在于：所述载网预先采用辉光放电处理。