[发明专利]三维微电极加工方法及三维微电极

权利要求书

1.一种三维微电极加工方法，其特征在于，包括：

获得多层形状大小一致的薄片微结构，将多层所述薄片微结构完全叠合，确定所述薄片微结构的加工端，另一端夹紧固定；

在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构；

在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置朝向或者背向所述加工端的方向加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽，多条所述通槽与所述加工端之间的距离依次增大或者依次减小；

将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极；

在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。

2.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述获得多层形状大小一致的薄片微结构包括：

通过三维设计软件对三维微电极进行建模，保存建模数据；

通过所述三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据；

将数据录入切割机的切割系统，形成加工程序，选取材料固定在切割机上，所述切割机根据程序对材料进行加工，以形成多层所述薄片微结构。

3.根据权利要求2所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述通过三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据包括：

在所述三维设计软件内将所述三维微电极沿其厚度方向切割出多层厚度小于等于1mm的所述薄片微结构。

4.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构之后还包括：将位于所选取的多层所述薄片微结构的两侧的所述薄片微结构远离所选取的多层所述薄片微结构弯曲设置且固定，以露出所选取的多层所述薄片微结构。

5.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽包括：

在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；

切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐。

6.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽还可以包括：

在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；

切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐；

在所述薄片微结构上多条所述通槽平齐的位置切割出一条将多条所述通槽连通在一起的连接槽；

在所述薄片微结构上于所述连接槽背向所述通槽的位置切割出与所述连接槽连通的合槽。

7.根据权利要求5和6任一项所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于多条所述通槽平齐的位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得多条所述通槽均与外界连通。

8.根据权利要求6所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于所述合槽位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得所述合槽与外界连通。

9.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极包括：

将多层所述薄片微结构完全叠合，利用固定夹具将叠合的多层所述薄片微结构夹紧；

将叠合夹紧的所述薄片微结构放置在真空炉中进行压力焊，使得多层所述薄片微结构之间固定连接，以形成所述三维微电极。

10.一种利用权利要求1至9任一项所述的三维微电极加工方法制成的三维微电极，其特征在于，包括：

本体，具有加工端；

多条通槽，并排开设在所述本体内，多条所述通槽靠近所述加工端的一端与所述加工端之间具有一定距离，多条所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。