[发明专利]感光阵列及成像设备在审
申请号: | 202110601254.9 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113363271A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 曹开玮;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 阵列 成像 设备 | ||
1.一种感光阵列,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底具有行列排布的多个像素区和分布在所述多个像素区之间的衬底引出区,每个所述像素区均包括用于设置MOS电容的感光区以及用于设置读取晶体管的电荷读取区,每个所述像素区均对应于一个所述衬底引出区并与对应的衬底引出区的衬底连通,所述衬底引出区用于为对应像素区的衬底提供电压施加位置,其中,多列所述像素区包括电荷读取区相对而感光区相背离的两相邻列像素区,并且,所述两相邻列像素区包括处于两相邻行且对应于同一个所述衬底引出区的四个像素区,所述四个像素区包围着对应的衬底引出区;以及,
设置于所述衬底中的隔离结构,所述隔离结构包括在厚度方向上贯穿所述衬底的全隔离体,所述全隔离体在所述衬底内横向延伸以分隔相邻的所述像素区,同时留出间隙使每个所述像素区与对应的衬底引出区的衬底连通。
2.如权利要求1所述的感光阵列,其特征在于,所述隔离结构包括第一隔离体和第二隔离体,所述第一隔离体和所述第二隔离体分别从所述衬底的上表面和下表面嵌入所述衬底内且均未贯穿所述衬底,并均在所述衬底内横向延伸;其中,至少部分所述全隔离体由上下连接的所述第一隔离体和所述第二隔离体构成。
3.如权利要求2所述的感光阵列,其特征在于,所述第一隔离体分隔同一所述像素区中的所述感光区和所述电荷读取区,并分隔每个所述像素区与对应的所述衬底引出区。
4.如权利要求2所述的感光阵列,其特征在于,所述第二隔离体分隔相邻的所述像素区,在所述第二隔离体的嵌设范围内,每个所述像素区与周围像素区的衬底之间不连通。
5.如权利要求1所述的感光阵列,其特征在于,所述两相邻列像素区之间设置有多个所述衬底引出区;其中,每个所述衬底引出区均与处于两相邻行的四个像素区对应且被对应的四个像素区包围,或者,至少一个所述衬底引出区仅位于处于同一行的两个像素区之间而与所述两个像素区对应,用于为所述两个像素区的衬底提供电压施加位置。
6.如权利要求5所述的感光阵列,其特征在于,所述两相邻列像素区之间设置的多个所述衬底引出区位于相背离的两列感光区之间,并沿所述像素区的列方向与相对的电荷读取区排成一列。
7.如权利要求6所述的感光阵列,其特征在于,多列所述像素区包括沿所述像素区的行方向依次排布的多组所述两相邻列像素区,分布在多列所述像素区之间的多个所述衬底引出区呈行列排布。
8.如权利要求7所述的感光阵列,其特征在于,所述感光阵列还包括在所述衬底上设置的多条衬底连接线,其中,每条所述衬底连接线均位于相应的一行所述衬底引出区上方,并通过相应的一行所述衬底引出区与所述衬底电连接。
9.如权利要求5所述的感光阵列,其特征在于,所述全隔离体包围每个所述衬底引出区与对应的像素区从而形成封闭环,在所述封闭环内,所述全隔离体分隔相邻的像素区,并留出间隙使各个所述像素区与对应的衬底引出区的衬底连通。
10.如权利要求5所述的感光阵列,其特征在于,所述两相邻列像素区中具有处于同一列但分别与不同的衬底引出区对应的两相邻像素区,所述两相邻像素区共用同一所述电荷读取区;所述全隔离体包围每个所述衬底引出区与对应的像素区、从而形成在共用的所述电荷读取区处具有开口的非封闭环,在所述非封闭环内,所述全隔离体分隔相邻的像素区,并留出间隙使各个所述像素区与对应的衬底引出区的衬底连通。
11.如权利要求1至10任一项所述的感光阵列,其特征在于,每个所述像素区均包括位于所述电荷读取区内的一个源设置区和一个漏设置区,所述感光阵列还包括分别对应于所述源设置区和所述漏设置区在所述衬底中形成的源区和漏区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的