[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110601485.X | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380897A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 荷尔本·朵尔伯斯;布兰丁·迪里耶;马可·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/34;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体管，包括：
图案化的栅电极；
介电层，位于所述图案化的栅电极上方；
图案化的第一氧化物半导体层，包括沟道区；以及
图案化的第二氧化物半导体层，包括位于所述沟道区的任意一侧上的源极/漏极区，其中，所述源极/漏极区的厚度大于所述沟道区的厚度。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述源极区/漏极区还包括：
所述图案化的第一氧化物半导体层，其中，所述图案化的第二氧化物半导体层的材料不同于所述图案化的第一氧化物半导体层的材料。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述图案化的第二氧化物半导体层的材料不同于所述图案化的第一氧化物半导体层的材料。
4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述图案化的第二氧化物半导体层接触所述介电层。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述介电层包括SiO2、Al2O3、HfO2、HZO、HfSiOx、HfLaOx中的一层或其多层。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述图案化的第一氧化物半导体层包括InxGayZnzOw、In2O3、Ga2O3、ZnO或InxSnyOz中的一种。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，位于所述图案化的第一氧化物半导体层和所述图案化的第二氧化物半导体层之间的界面包括垂直表面和水平表面。
8.根据权利要求7所述的晶体管，其中，所述图案化的第一氧化物半导体层位于所述图案化的第二氧化物半导体层的每个源极区和漏极区的整个宽度下面。
9.一种晶体管，包括：
图案化的第一氧化物半导体层，包括沟道区；
介电层，位于所述图案化的第一氧化物半导体层上方；
图案化的栅电极，位于所述介电层上方；以及
图案化的第二氧化物半导体层，包括位于所述沟道区的任意一侧上的源极/漏极区，其中，所述源极/漏极区的厚度大于所述沟道区的厚度。
10.一种制造晶体管的方法，包括：
在互连层级介电层上方沉积第一氧化物半导体层；
在所述第一氧化物半导体层中形成沟道区；
在所述沟道区的任意一侧上形成源极/漏极区，其中，所述源极/漏极区的厚度大于所述沟道区的厚度。
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