[发明专利]一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构有效
| 申请号： | 202110601665.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113345866B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 顾祥;贺琪;张庆东;谢儒彬;吴建伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 辐射 soi 工艺 ggnmos esd 保护 器件 结构 | ||
1.一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，包括：
多晶栅POLY层(1)、STI加固注入层(2)、P型体接触注入层(3)、N型源漏注入层(4)、有源区TO层(5)和接触孔W1层(6)，漏端的N型源漏注入层(4)位于所述有源区TO层(5)内；所述多晶栅POLY层(1)为条型，所述N型源漏注入层(4)呈现为两个背靠背的横T型，跨过两根多晶栅POLY层(1)。
2.如权利要求1所述的基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，所述P型体接触注入层(3)为4个长方形，覆盖所述有源区TO层(5)的四个角以及部分多晶栅POLY层(1)。
3.如权利要求2所述的基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，所述有源区TO层(5)将漏端的N型源漏注入层(4)包围并保持距离，所述STI加固注入层(2)全覆盖多晶栅POLY层(1)、P型体接触注入层(3)、N型源漏注入层(4)、有源区TO层(5)和接触孔W1层(6)。
4.如权利要求3所述的基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，所述接触孔W1层(6)由若干个接触孔组成，接触孔开设有3组，每组设置有4个；P型体接触注入层(3)与有源区TO层(5)交叠区、多晶栅POLY层(1)的N型源漏注入层(4)内均开设有接触孔。
5.如权利要求4所述的基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，所述N型源漏注入层(4)的两侧均放置P型体接触注入层(3)，以加强体接触效果，提升泄流能力。
6.如权利要求5所述的基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构，其特征在于，所述多晶栅POLY层(1)的条宽为0.25μm；所述多晶栅POLY层(1)跨有源区TO层(5)露头0.2μm；
所述接触孔W1层(6)的长和宽都为0.3μm，所述接触孔W1层(6)到有源区TO层(5)的距离为0.3μm；
所述STI加固注入层(2)包有源区TO层(5)0.3μm，所述P型体接触注入层(3)包有源区TO层(5)0.25μm，P型体接触注入层(3)搭在多晶栅POLY层(1)0.125μm，所述N型源漏注入层(4)在两根多晶栅POLY层(1)之间的部分距离有源区TO层(5)0.2μm。
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