[发明专利]基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法在审
申请号: | 202110602528.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113764298A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 陆志毅;于大维;李运锋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 缺陷 检测 装置 方法 | ||
1.一种基底缺陷检测装置,其特征在于,包括:
光源部件,所述光源部件用于发出至少一束检测光;
检测光调整器,所述检测光调整器用于将所述至少一束检测光调整为至少两束平行的测量光束,以及所述测量光束用于照射到所述基底的待测表面上并进一步反射,以用于扫描所述待测表面上的缺陷并生成至少两个光斑;
信息采集器,所述信息采集器用于采集经所述待测表面反射出的测量光束形成的所述光斑的光斑信息;
处理器,所述处理器与所述信息采集器通讯连接,用于接收所述光斑信息,并用于对所述光斑信息进行分析计算,以得到所述缺陷对应的缺陷参数。
2.如权利要求1所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,至少两束测量光束间的间距可调,以使至少两个所述光斑间间距可调。
3.如权利要求2所述的基底缺陷测量装置,其特征在于,所述光源部件用于发出至少两束相互平行的检测光;所述检测光调整器包括狭缝组件,所述狭缝组件接收所述检测光并用于调整所述检测光的间距,以形成至少两束间距可调的测量光束。
4.如权利要求1所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述光源部件用于发出一束所述检测光;所述检测光调整器包括狭缝组件和棱镜组件,所述狭缝组件接收所述检测光,并将所述检测光分离成至少两束所述测量光束,所述棱镜组件接收至少两束所述测量光束,并使至少两束所述测量光束相互平行后发出。
5.如权利要求3或4任意一项所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述狭缝组件包括至少两个狭缝单元,至少两个狭缝单元位于所述检测光的光路上且位置可调的排布在所述棱镜组件周边。
6.如权利要求5所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述狭缝单元包括:具有至少两个第一透光孔的投影狭缝和具有一个第二透光孔的光阑,所述投影狭缝和所述光阑在沿所述检测光的光路方向上相对设置且相对位置可调整,并使所述检测光从一个所述第一透光孔和一个所述第二透光孔穿过以形成所述测量光束。
7.如权利要求1所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述基底缺陷检测装置还包括分离器,所述分离器位于经所述基底反射后的测量光束的光路上,以使至少两个所述测量光束彼此之间无串扰。
8.如权利要求7所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述分离器由至少一个第二棱镜组成。
9.如权利要求8所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述分离器位于所述信息采集器和所述基底之间;或者,所述分离器集成在所述信息采集器上。
10.如权利要求1所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,所述基底缺陷检测装置还包括位于所述测量光束的光路上且用于避免所述测量光束发散的第一成像镜头和第二成像镜头,所述第一成像镜头位于所述检测光调整器和所述基底之间,所述第二成像镜头位于所述基底和所述信息采集器之间。
11.如权利要求1所述的基底缺陷检测装置,其特征在于,至少两个平行的测量光束照射到所述基底的所述待测表面上时,所述测量光束与所述待测表面具有预定夹角,所述预定夹角的角度为30°~60°。
12.一种基底缺陷检测方法,其特征在于,包括:
利用光源部件发出至少一束检测光;
利用检测光调整器接收所述检测光,并将所述至少一束检测光调整为至束两个平行的测量光束并照射到所述基底的待测表面上并进一步反射,以用于扫描所述待测表面上的缺陷并生成至少两个光斑;
利用所述信息采集器,采集并发出经所述待测表面反射后的测量光束形成的所述光斑的光斑信息;
利用所述处理器接收所述光斑信息,并对所述光斑信息计算,以得到所述待测表面上的所述缺陷所对应的缺陷参数。
13.如权利要求12所述的基底缺陷检测方法,其特征在于,所述缺陷参数包括所述缺陷的和所述待测表面之间的距离,以及所述缺陷在所述基底上的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造