[发明专利]基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法在审
申请号: | 202110602528.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113764298A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 陆志毅;于大维;李运锋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 缺陷 检测 装置 方法 | ||
本发明提供了一种基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法,由于将光源部件发出的至少一束测量光经检测光调整器调整后形成至少两个平行的测量光束。如此一来,可通过至少两个测量光束经一次或少次扫描即可获得基底上的多个缺陷的缺陷参数,以提升对位于基底上的缺陷的检测效率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法。
背景技术
“超摩尔定律”等概念引领IC行业从追求工艺技术节点的时代,转向更多地依赖于芯片封装技术发展的全新时代。相比于传统封装,晶圆级封装(Wafer Level Packaging,WLP)在缩小封装尺寸、节约工艺成本方面有着显著的优势。因此,WLP将是未来支持IC不断发展的主要技术之一。
WLP主要包括Pillar/Gold/Solder Bump、RDL、TSV等工艺技术。为了增加芯片制造的良率,在整个封装工艺过程都需要对芯片进行缺陷检测,早期的设备主要集中在表面2D的缺陷检测,例如污染、划痕、颗粒等。随着工艺控制要求的增加,越来越需要对表面3D缺陷进行检测,例如Bump高度、RDL层(再分配互连层)的厚度、TSV(Through Silicon Vias“通过硅片通道”)的孔深等。
而现有对表面3D缺陷进行检测时,通常是采用单束光对基底进行扫描以根据扫描后的光斑的信息计算得到表面3D缺陷的信息,而采用单束光进行检测时,需要多次检测,进而导致表面3D缺陷检测效率低下。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法,以解决现有的基底缺陷检测装置及基底缺陷检测方法检测效率低下的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种基底缺陷检测装置,包括:
光源部件,所述光源部件用于发出至少一束检测光;
检测光调整器,所述检测光调整器用于将所述至少一束检测光调整为至少两束平行的测量光束,以及所述测量光束用于照射到所述基底的待测表面上并进一步反射,以用于扫描所述待测表面上的缺陷并生成至少两个光斑;
信息采集器,所述信息采集器用于采集经所述待测表面反射出的测量光束形成的所述光斑的光斑信息;
处理器,所述处理器与所述信息采集器通讯连接,用于接收所述光斑信息,并用于对所述光斑信息进行分析计算,以得到所述缺陷对应的缺陷参数。
可选的,至少两束测量光束间的间距可调,以使至少两个所述光斑间间距可调。
可选的,所述光源部件用于发出至少两束相互平行的检测光;所述检测光调整器包括狭缝组件,所述狭缝组件接收所述检测光并用于调整所述检测光的间距,以形成至少两束间距可调的测量光束。
可选的,所述光源部件用于发出一束所述检测光;所述检测光调整器包括狭缝组件和棱镜组件,所述狭缝组件接收所述检测光,并将所述检测光分离成至少两束所述测量光束,所述棱镜组件接收至少两束所述测量光束,并使至少两束所述测量光束相互平行后发出。
可选的,所述狭缝组件包括至少两个狭缝单元,至少两个狭缝单元位于所述检测光的光路上且位置可调的排布在所述棱镜组件周边。
可选的,所述狭缝单元包括:具有至少两个第一透光孔的投影狭缝和具有一个第二透光孔的光阑,所述投影狭缝和所述光阑在沿所述检测光的光路方向上相对设置且相对位置可调整,并使所述检测光从一个所述第一透光孔和一个所述第二透光孔穿过以形成所述测量光束。
可选的,所述基底缺陷检测装置还包括分离器,所述分离器位于经所述基底反射后的测量光束的光路上,以使至少两个所述测量光束彼此之间无串扰。
可选的,所述分离器由至少一个第二棱镜组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造