[发明专利]存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路及存储器件

权利要求书

1.一种存储器刷新补偿方法，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述方法包括：

分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；

分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；

将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，启动对刷新指令的计数，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述设定行数为所述默认行数的2^N倍，N为大于或等于1的整数；

若所述刷新指令的累计数量达到目标值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计，包括：

基于所述报错信息确定所述存储区域的ECC模块检测到的错误类型；

若所述错误类型为可修复错误类型，则将所述存储区域的累计错误数量增加第一预设个数；

若所述错误类型为不可修复错误，则将所述存储区域的累计错误数量增加第二预设个数，其中，所述第二预设个数大于所述第一预设个数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，包括：

若所述目标存储区域的累计错误数量大于或等于第一预设阈值且小于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数从所述默认行数调整为第一设定行数；

若所述目标存储区域的累计错误数量大于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数从所述默认行数调整为第二设定行数，其中，所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值，所述第二设定行数大于所述第一设定行数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述目标存储区域的物理层信息进行统计，并上报统计结果。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标值为所述动态随机存储器在预设刷新周期内接收到的刷新指令个数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述动态随机存储器为3D封装的动态随机存储器。

7.一种存储器刷新补偿装置，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述装置包括：

统计模块，用于分别获取每个存储区域对应的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；

补偿模块，用于分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域，将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，启动对刷新指令的计数，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述设定行数为所述默认行数的2^N倍，N为大于或等于1的整数；

恢复模块，用于若所述刷新指令的累计数量达到目标值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数。