[发明专利]存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路及存储器件

说明书

本发明公开了一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件，通过复用每个存储区域的ECC模块产生的报错信号，分别对每个存储区域中的数据存储错误进行统计；分别检测每个存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；将目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，同时启动对刷新指令的计数，并将目标存储区域对应的当前错误统计数量清零；直至刷新指令的累计数量达到目标值，再将目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数，这样能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新补偿，有利于改善DRAM存储阵列的retention问题。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)的存储单元电荷泄露是不可避免的问题，需要周期性刷新以确保存储单元中的数据信息不丢失。由于DRAM的这一特性，DRAM存储器容易受到比特翻转攻击ROW HAMMER的威胁，即多次针对同一字线(worldline，简称WL)进行开关操作，会导致相邻WL上的存储单元有电荷泄露的风险和后果，导致失效。而且，存储阵列中数据保持性能(retention)较弱的存储单元更易失效，需要在最大访问次数MAC到达前，及时刷新以在一定程度上降低失效。

另外，存储阵列中存储单元的电荷保持时间与温度有强相关，漏电流在高温下更易导致存储失效。因此，高温容易导致漏电增大，DRAM存储阵列也就更易出现retention问题，带来片内系统(SIP)工作的可靠性和稳定性风险。尤其是对于3D封装形式的DRAM存储器，片内更多的互联线以及更多层的堆叠芯片导致复杂的片内热分布与热特性，受温度影响导致的retention问题更为显著。

目前，对于DRAM存储阵列的retention问题，常用的解决方式有通过片内ECC(Error Checking and Correcting，错误检查与纠正)检测以及纠正数据存储错误，但是ECC纠错能力有限，当retention失效较多时，就无法纠正，导致DRAM存储阵列仍然存在较大的数据失效风险。

发明内容

本申请实施例提供了一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件，能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新补偿，降低该存储区域的数据失效风险，有利于改善DRAM存储阵列的retention问题，提升片内系统工作的可靠性和稳定性。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器刷新补偿方法，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块。所述方法包括：

分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；

分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；

将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，启动对刷新指令的计数，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述设定行数为所述默认行数的2^N倍，N为大于或等于1的整数；

若所述刷新指令的累计数量达到目标值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数。

进一步地，所述基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计，包括：

基于所述报错信息确定所述存储区域的ECC模块检测到的错误类型；

若所述错误类型为可修复错误类型，则将所述存储区域的累计错误数量增加第一预设个数；