[发明专利]一种MEMS滤波器制作方法

权利要求书

1.一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述方法包括：

在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；

制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；

释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域；

所述第一DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层；所述第二DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层；所述牺牲层为二氧化硅层；

在衬底正面生长第一DBR介质膜后还包括：对衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜进行重掺杂处理得到第一电极导电层；

和/或，

在衬底正面生长第二DBR介质膜时包括：对衬底正面的生长的第二DBR介质膜的底层膜进行重掺杂处理得到第二电极导电层；

在衬底正背面制备牺牲层后还包括：

在衬底正面的牺牲层制作环状第一凹部或者环状第一凸部，以使牺牲层上生长的第二DBR介质膜对应所述环状第一凹部位置形成下凸上凹的环状凹凸部或者使牺牲层上生长的第二DBR介质膜对应所述环状第一凸部位置形成下凹上凸的环状凹凸部，所述环状凹凸部为环状防破裂梁。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：在衬底正背面的第一DBR介质膜上制备牺牲层后还包括：

在衬底正面制备第一对准标记和/或第二对准标记，第一对准标记用于衬底正面的制作工艺的对准，第二对准标记用于衬底背面的制作工艺的对准。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述方法还包括：

由衬底背面的第二DBR介质膜至衬底背面的第一DBR介质膜制作背孔，直至暴露衬底背面的隔离层，并在衬底背面的第二DBR介质膜表面非挖孔区域制备金属反射层。

4.根据权利要求3所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述由衬底背面的第二DBR介质膜至衬底背面的第一DBR介质膜制作背孔，直至暴露衬底背面的隔离层具体包括：

在第二DBR介质膜上制作背孔区域的第一光刻胶层；

第一次干法蚀刻，刻蚀至牺牲层；

去除剩余牺牲层；

第二次干法蚀刻，刻蚀停留在与隔离层接触的第一DBR介质膜的接触层；

蚀刻剩余接触层；

去除第一光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述制作衬底正面上电极、下电极具体包括：

对晶圆正面的第二DBR介质膜进行挖孔处理，直至暴露出衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜得到上电极孔；

由晶圆正面的第二DBR介质膜至晶圆正面的第一DBR介质膜进行挖孔处理，直至暴露出衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜得到下电极孔；

采用金属材料分别填充上电极孔、下电极孔并延伸凸出于衬底正面的第二DBR介质膜层，得到上电极和下电极。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层具体包括：

在衬底正面的第二DBR介质膜的环状防破裂梁的周围形成释放孔；

通过释放孔在所述牺牲层形成空腔。

7.根据权利要求6所述的一种MEMS滤波器制作方法，其特征在于：所述在衬底正面的第二DBR介质膜的环状防破裂梁的周围形成释放孔同时还包括：

在下电极外围制作隔离刻蚀小孔，以去除隔离刻蚀小孔对应的牺牲层，形成上下电极阻挡带。