[发明专利]一种MEMS滤波器制作方法

说明书

本发明公开了一种MEMS滤波器制作方法，属于MEMS滤波器制作技术领域，方法包括：在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域。本发明采用双面结构工艺能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。

技术领域

本发明涉及MEMS滤波器制作技术领域，尤其涉及一种MEMS滤波器制作方法。

背景技术

MEMS滤波器具有可调谐范围大、精细度高、自由光谱区宽的特点，在无线电通讯和光纤通信领域有着较为广泛的应用。滤波器一般包括衬底，衬底上附着有布拉格反射镜，布拉格反射镜上附着有两个电极。滤波器腔长调谐一般是通过静电或者微电磁驱动滤波器上层反射镜(布拉格反射镜)向下运动进而改变滤波器的腔长，达到调谐谐振波长进而选频的目的，且腔长可调更有利于实现超光谱成像和DWDM系统中的光谱滤波功能，调谐范围更大。该类型器件加工需保证器件的平整度，加工精度要求精良；且需保证浮桥结构产生形变时不易发生破裂，进一步加大了浮桥结构的制作工艺难度，再者如何结合与现有工艺流程进行结合，如与现有半导体芯片工艺进行兼容，制作出符合设计要求的器件也是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有制作工艺精度不够高易引起器件翘曲的问题，提供了一种MEMS滤波器制作方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种MEMS滤波器制作方法，所述方法包括：

在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；

制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；

释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域。

在一示例中，所述第一DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层；所述第二DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层；所述牺牲层为二氧化硅层。

在一示例中，在衬底正面生长第一DBR介质膜后还包括：对衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜进行重掺杂处理得到第一电极导电层；

和/或，

在衬底正面生长第二DBR介质膜时包括：对衬底正面的生长的第二DBR介质膜的底层膜进行重掺杂处理得到第二电极导电层。

在一示例中，所述在衬底正背面的第一DBR介质膜上制备牺牲层后还包括：

在衬底正面制备第一对准标记和/或第二对准标记，第一对准标记用于衬底正面的制作工艺的对准，第二对准标记用于衬底背面的制作工艺的对准。

在一示例中，在衬底正背面制备牺牲层后还包括：

在衬底正面的牺牲层制作环状第一凹部或者环状第一凸部，以使牺牲层上生长的第二DBR介质膜对应所述环状第一凹部位置形成下凸上凹的环状凹凸部或者使牺牲层上生长的第二DBR介质膜对应所述环状第一凸部位置形成下凹上凸的环状凹凸部，所述环状凹凸部为环状防破裂梁。

在一示例中，所述方法还包括：

由衬底背面的第二DBR介质膜至衬底背面的第一DBR介质膜制作背孔，直至暴露衬底背面的隔离层，并在衬底背面的第二DBR介质膜表面非挖孔区域制备金属反射层。