[发明专利]一种铜锰有序高电压铜基氧化物材料和应用有效
申请号: | 202110603734.9 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN114171732B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 胡勇胜;容晓晖;陈立泉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;H01M4/485;H01M4/505;H01M10/054;H01M4/131;H01M4/1391 |
代理公司: | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人: | 李楠 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有序 电压 氧化物 材料 应用 | ||
1.一种铜锰有序高电压铜基氧化物材料,其特征在于,所述材料的化学通式为:Naa[CubMncMed]O2+β;其中Cu的价态为+2,Me为Na、Si、P、S、Sc、Ti、V、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、La、Ta、Ir、Bi中的一种或多种元素,Mn和Me的平均化合价为α;+2≤α≤+4;a、b、c、d、β分别为对应元素所占的摩尔百分比;它们之间的关系满足b+c+d=1,且a+2b+α(c+d)=2×(2+β);其中0.5≤a≤2.0; 0<b≤1.0;0<c<1.0;0≤d<1.0;-0.02≤β≤0.02;
过渡金属层中,锰离子包围铜离子呈蜂窝状有序排布,用以降低+2价铜离子带来的晶格扭曲,并使得首周充电时,铜离子失去电子,价态从+2价完全的向+3价转变;首周放电时,再重新得到电子变回+2价。
2.根据权利要求1所述的铜锰有序高电压铜基氧化物材料,其特征在于,所述铜锰有序高电压铜基氧化物材料相对金属钠的平均工作电压在3.5 V以上;
所述平均工作电压为:10mA/g电流密度下,放电能量与放电容量倒数的乘积。
3.一种钠离子二次电池的正极极片,其特征在于,所述正极极片包括:集流体、涂覆于所述集流体之上的导电添加剂和粘结剂,和如上述权利要求1-2任一所述的铜锰有序高电压铜基氧化物材料。
4.一种包括上述权利要求3所述的正极极片的钠离子二次电池。
5.根据上述权利要求4所述的钠离子二次电池,其特征在于,所述钠离子二次电池用于太阳能发电、风力发电、智能电网调峰、分布电站、后备电源或通信基站的大规模储能设备。
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