[发明专利]一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统在审
申请号: | 202110605073.3 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN115480452A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 蔡晨;王鑫鑫 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;F16B47/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸盘 组件 曝光 装置 光刻 系统 | ||
本发明属于光刻技术领域,具体公开了一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统。吸盘组件包括:吸盘,其基底吸附面具有若干个与吸盘同心设置的基底吸附区,每个基底吸附区均包括主吸附区,至少最外侧的基底吸附区包括位于主吸附区外侧的边缘吸附区;每个主吸附区的边缘均围设有第一密封件,边缘吸附区的外边缘环绕设置有第二密封件,第一密封件和第二密封件的下端密封嵌设于吸盘,第一密封件和第二密封件的上端能够弹性凸出基底吸附面,第一密封件能够凸出基底吸附面的高度大于第二密封件能够凸出基底吸附面的高度。本发明公开的吸盘组件、曝光装置及光刻系统,能够提高对翘曲基底的吸附能力和吸附效果。
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,尤其涉及一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统
背景技术
在光刻中,曝光台用于将掩模板上的电路图形经过光学投影系统进行投影曝光,使电路图形以一定放大或缩小的倍率投影于制造集成电路的硅片上。在曝光进行之前,通常采用交接机构对硅片进行吸取并放置在曝光台的吸盘上,使吸盘对硅片进行真空吸附,以使硅片固定在在曝光台上,以防止硅片在曝光过程中产生移动。
随着集成电路制造行业技术的不断发展,硅片处理工艺多种多样,使得经常会有硅片产生较大的翘曲变形。现有的曝光装置在采用吸盘对翘曲硅片吸附时,存在吸附效率低、吸附效果差且吸附后硅片平整度不高等问题,影响硅片曝光的稳定性和曝光的重量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种吸附装置,提高吸附装置对翘曲基底的吸附能力,提高基底吸附稳定性和可靠性。
本发明的又一目的在于提供一种曝光装置,提高基底曝光稳定性和基底曝光质量。
本发明的另一目的在于提供一种光刻系统,提高光刻稳定性和光刻质量。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种吸盘组件,包括:
吸盘,所述吸盘的基底吸附面具有若干个与所述吸盘同心设置的基底吸附区,每个所述基底吸附区均包括主吸附区,所述主吸附区的外径小于对应尺寸的基底的外径,至少最外侧的所述基底吸附区包括位于所述主吸附区外侧的边缘吸附区;
第一密封件,每个所述主吸附区的边缘均围设有所述第一密封件,所述第一密封件的下端密封嵌设于所述吸盘,所述第一密封件的上端能够弹性凸出所述基底吸附面;
第二密封件,环绕所述边缘吸附区的外边缘设置,所述第二密封件的下端密封嵌设于所述吸盘内,所述第二密封件的上端能够弹性凸出所述基底吸附面,所述第一密封件能够凸出所述基底吸附面的高度大于所述第二密封件能够凸出所述基底吸附面的高度。
作为一种吸盘组件的优选技术方案,所述第一密封件能够凸出所述基底吸附面的最大高度高度为3mm~5mm,所述第二密封件能够凸出所述基底吸附面的最大高度为0.1mm~0.5mm。
作为一种吸盘组件的优选技术方案,所述基底吸附面开设有第一密封槽和第二密封槽,所述第一密封槽与所述第一密封件一一对应设置,所述第二密封槽与所述第二密封件一一对应设置,所述第一密封件的下端嵌设于所述第一密封槽内,所述第二密封件的下端嵌设于所述第二密封槽内,所述第一密封槽的槽深和槽宽分别大于所述第二密封槽的槽深和槽宽。
作为一种吸盘组件的优选技术方案,所述第一密封件包括密封主体和卡接部,所述第一密封槽包括连通的容纳槽部和安装槽部,所述安装槽部位于所述容纳槽部的下方,且所述安装槽部的槽宽从其槽底至槽口逐渐增大,所述卡接部卡设于所述安装槽部中,所述密封主体能够完全容纳于所述容纳槽部中。
作为一种吸盘组件的优选技术方案,所述密封主体的横截面为长条环形,所述长条环形的长度方向与所述吸盘的厚度方向一致;或
所述密封主体的横截面为折线段形,所述折线段形的末端折线段沿远离所述卡接部的方向向远离所述吸盘中心的方向倾斜;或
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