[发明专利]存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

第一多层堆叠，设置在衬底上且包括交替堆叠的多个第一导电层与多个第一介电层；

沟道层，穿过多个所述第一导电层及多个所述第一介电层，其中所述沟道层包括彼此隔开的第一沟道部与第二沟道部；

电荷存储层，设置在多个所述第一导电层与所述沟道层之间；

第一导电柱，设置在所述第一沟道部的一个端部与所述第二沟道部的一个端部之间；以及

第二导电柱，设置在所述第一沟道部的另一端部与所述第二沟道部的另一端部之间。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

第二多层堆叠，设置在所述衬底上且包括交替堆叠的多个第二导电层与多个第二介电层，其中

所述沟道层穿过多个所述第二导电层及多个所述第二介电层。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，还包括：

第三介电层，设置在所述第一多层堆叠与所述第二多层堆叠之间。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电荷存储层被所述第一导电柱及所述第二导电柱划分成两部分。

5.一种存储器器件，包括：

多层堆叠，设置在衬底上且包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层；

沟道层，穿过多个所述导电层及多个所述介电层；

电荷存储层，设置在多个所述导电层与所述沟道层之间；

绝缘层，穿过多个所述导电层及多个所述介电层且设置在所述电荷存储层与所述多层堆叠之间；以及

第一导电柱及第二导电柱，被所述沟道层包围。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，还包括：

第一介电层，设置在所述绝缘层与所述电荷存储层之间；以及

第二介电层，设置在所述电荷存储层与所述沟道层之间。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中所述绝缘层设置在所述第一介电层与所述衬底之间、所述电荷存储层与所述衬底之间、以及所述第二介电层与所述衬底之间。

8.根据权利要求5所述的存储器器件，还包括：

介电柱，其中所述绝缘层设置在所述介电柱与所述衬底之间，且所述介电柱被所述沟道层包围并位于所述绝缘层上。

9.一种存储器器件，包括：

多层堆叠，设置在衬底上且包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层；

沟道层，穿过多个所述导电层及多个所述介电层；

电荷存储层，设置在多个所述导电层与所述沟道层之间；

第一导电柱及第二导电柱，与所述沟道层相邻；

第一内连线结构，连接到所述第一导电柱的端部；以及

第二内连线结构，连接到所述第二导电柱的端部，其中

所述第一导电柱的连接到所述第一内连线结构的所述端部与所述第二导电柱的连接到所述第二内连线结构的所述端部位于所述多层堆叠的相对侧。

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述第一内连线结构及所述第二内连线结构分别包括导线。