[发明专利]一种球面镜窄带滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种球面镜窄带滤光片，其特征在于：包括球面镜基底、设于球面镜基底一侧的窄带通膜系、设于球面镜基底另一侧的长波通膜系；所述长波通膜系包括从内往外逐层交替沉积的低折射率膜层和高折射率膜层，以及作为低折射率膜层的最外层；所述窄带通膜系包括从内往外逐层交替沉积的高折射率膜层和低折射率膜层。

2.根据权利要求1所述的一种球面镜窄带滤光片，其特征在于，所述窄带通膜系的结构为(HL2HLHL)^5，中心波长为915nm；H为一个基本厚度的高折射率膜层，L为一个基本厚度的低折射率膜层；(HL2HLHL)^5中的5为基本膜堆(HL2HLHL)的周期数。

3.根据权利要求1所述的一种球面镜窄带滤光片，其特征在于，所述长波通膜系的结构为(0.5HL0.5H)^17，过渡带中心波长为835nm；H为一个基本厚度的高折射率膜层，L为一个基本厚度的低折射率膜层；0.5H表示高折射率膜层厚度为0.5个基本厚度；(0.5HL0.5H)^17中的17为基本膜堆(0.5HL0.5H)的周期数。

4.根据权利要求1所述的一种球面镜窄带滤光片，其特征在于，所述窄带通膜系中的高折射率膜层或低折射率膜层的基本厚度为所述窄带通膜系的光学厚度的中心波长的四分之一；所述长波通膜系中的高折射率膜层或低折射率膜层的基本厚度为所述长波通膜系的光学厚度的中心波长的四分之一。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种球面镜窄带滤光片，其特征在于，所述低折射率膜层为氧化硅膜层，所述高折射率膜层为氢氧化硅/氮氢化硅膜层。

6.根据权利要求1所述的一种球面镜窄带滤光片，其特征在于，所述长波通膜系和所述窄带通膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。

7.一种球面镜窄带滤光片制备方法，在真空溅射镀膜机中实现，其特征在于，方法包括：

步骤S01，将球面镜基底放入低真空腔室中并抽真空5.0E-0Pa以下；

步骤S02，将球面镜基底放入高真空腔室中并抽真空至1.0E-03Pa以下；

步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击球面镜基底表面；

步骤S04，采用磁控溅射方法在球面镜基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括从内往外逐层交替沉积的低折射率膜层和高折射率膜层，以及作为低折射率膜层的最外层；

步骤S05，采用磁控溅射方法在球面镜基底另一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括从内往外逐层交替沉积的高折射率膜层和低折射率膜层；

步骤S06，将球面镜基底自然冷却至室温，得到球面镜窄带滤光片。

8.根据权利要求7所述的一种球面镜窄带滤光片制备方法，其特征在于，所述低折射率膜层为氧化硅膜层，所述高折射率膜层为氢氧化硅/氮氢化硅膜层；所述步骤S04包括：

步骤S41，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，第二射频氧化源的工作气体Ar流量为50-500sccm，O₂流量为100-500sccm,第二靶材的溅射源功率为5kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4kw，第二靶材的工作气体Ar流量为30-300sccm；

步骤S42，进行氢氧化硅/氮氢化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，第一射频氧化源的工作气体Ar流量为50-500sccm，H₂流量为10-100sccm,O₂流量为0-50sccm/N₂流量为0-50sccm，第一靶材的溅射源功率为5kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4kw，第一靶材的工作气体Ar流量为30-300sccm；

步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；

步骤S44，最后一层进行氧化硅膜层沉积。