[发明专利]具有信号分配元件的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

管芯焊盘，所述管芯焊盘包括管芯附接表面；

第一引线，所述第一引线延伸远离所述管芯焊盘；

一个或多个半导体管芯，所述一个或多个半导体管芯安装在所述管芯附接表面上，所述一个或多个半导体管芯包括第一接合焊盘和第二接合焊盘，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘均背离所述管芯附接表面；以及

分配元件，所述分配元件在所述第一引线与所述一个或多个半导体管芯的所述第一接合焊盘之间提供用于第一电信号的第一传输路径，并且在所述第一引线与所述一个或多个半导体管芯的所述第二接合焊盘之间提供用于所述第一电信号的第二传输路径，并且

其中，所述分配元件包括至少一个一体地形成的电路元件，所述至少一个一体地形成的电路元件在所述第一传输路径与所述第二传输路径之间创建传输特性的差异。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述分配元件包括半导体衬底、设置在所述衬底上的第一金属化层、以及均形成在所述第一金属化层中的第一接合焊盘、第二接合焊盘和第三接合焊盘，并且其中，所述半导体封装还包括：

第一导电连接器，所述第一导电连接器将第一上表面端子电连接到所述第一接合焊盘；

第二导电连接器，所述第二导电连接器将第二上表面端子电连接到所述第二接合焊盘；以及

第三导电连接器，所述第三导电连接器将所述第一引线电连接到所述第三接合焊盘。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，一个或多个一体地形成的电路元件包括将所述第一接合焊盘连接到所述第二接合焊盘的第一电阻器，以及将所述第一接合焊盘连接到所述第三接合焊盘的第二电阻器，并且其中，所述第一电阻器具有与所述第二电阻器不同的电阻。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述分配元件还包括形成在所述半导体衬底上的电绝缘层，以及形成在所述电绝缘层上的掺杂半导体层，其中，所述第一电阻器由连接在所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘之间的所述掺杂半导体层的第一区段形成，并且其中，所述第二电阻器由连接在所述第一接合焊盘与所述第三接合焊盘之间的所述掺杂半导体层的第二区段形成。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体封装包括所述半导体管芯中的两个半导体管芯，其中，所述分配元件在所述第一引线与所述半导体管芯中的第一半导体管芯之间提供所述第一传输路径和所述第二传输路径，其中，所述分配元件在所述第一引线与第二半导体管芯的所述第一接合焊盘之间提供用于所述第一电信号的第三传输路径，并且其中，所述分配元件在所述第一引线与所述第二半导体管芯的所述第二接合焊盘之间提供用于所述第一电信号的第四传输路径。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯均被配置为彼此并联连接的碳化硅功率晶体管。

7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述半导体封装还包括延伸远离所述管芯焊盘的第二引线，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯均包括背离所述管芯附接表面的第三接合焊盘，并且其中，所述分配元件被配置为在所述第二引线与所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的所述第三接合焊盘之间分配第二电信号。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述分配元件包括半导体衬底和设置在所述衬底上的第一金属化层、形成在所述第一金属化层中的接合焊盘、以及形成在所述第一金属化层中并且连接到所述接合焊盘的低电阻金属条，其中，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的所述第三接合焊盘直接连接到所述低电阻金属条，并且其中，所述第二引线直接连接到所述分配元件的所述接合焊盘。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体封装仅包括所述半导体管芯中的一个半导体管芯。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述分配元件单片集成在所述一个半导体管芯中。